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參數(shù)資料
| 型號： | FMMT560A |
| 文件頁數(shù)： | 199/247頁 |
| 文件大小： | 2493K |
| 代理商： | FMMT560A |
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FMBA0656
NPN & PNP Complementary Dual Transistor
SuperSOT- 6 Surface Mount Package
Absolute Maximum Ratings
T
A = 25°C unless otherwise noted
°C/W
180
Thermal Resistance, Junction to Ambient
R
θ
JA
*
Pd total, for both transistors. For each transistor, Pd = 350mW.
°C
150
Junction Temperature
T
J
°C
-55 to +150
Storage Temperature Range
T
STG
W
0.7
Power Dissipation @Ta = 25°C*
P
D
mA
500
Collector Current (continuous)
I
C
V
4
Emitter-Base Voltage
V
EBO
V
80
Collector-Base Voltage
V
CBO
V
80
Collector-Emitter Voltage
V
CEO
Units
Value
Parameter
Symbol
Electrical Characteristics
T
A = 25°C unless otherwise noted
V
4
Ie = 100 uA
Emitter to Base Voltage
BV
EBO
V
80
Ic = 100 uA
Collector to Base Voltage
BV
CBO
V
80
Ic = 1.0 mA
Collector to Emitter Voltage
BV
CEO
Units
Max
Min
Test Conditions
Parameter
Symbol
1997 Fairchild Semiconductor Corporation
Page 1 of 2
fmba0656.lwpPr33&73(Y3)
Package: SuperSOT-6
Device Marking:
.003
Note: The "
.
" (dot) signifies Pin 1
Transistor 1 is NPN device,
transistor 2 is PNP device.
This device was designed for general purpose amplifier applications at collector currents to 300mA.
Sourced from Process 33 (NPN) and Process 73 (PNP).
Discrete Power
&
Signal
Technologies
F
C2
E1
C1
B2
E2
B1
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT92CSM | General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Ceramic Surface Mount Package(通用PNP晶體管( 陶瓷表貼封裝)) |
| FMMT92CSM | GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |
| FMN1.1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | CHIP |
| FMN1.2 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 33V V(BR)DSS | CHIP |
| FMN35.3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 33V V(BR)DSS | CHIP |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMMT560TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High V 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT560TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighV 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT576 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述: |
| FMMT589 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
| FMMT589 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
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