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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | FMMT560A |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 161/247頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 2493K |
| 代理商： | FMMT560A |
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F
FMB100
NPN Multi-Chip General Purpose Amplifier
This device is designed for general purpose amplifier applications at collector
currents to 300 mA. Sourced from Process 10.
Absolute Maximum Ratings*
T
A
=25°C unless otherwise noted
*
These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.
NOTES
:
1)
These ratings are based on a maximum junction temperature of 150 degrees C.
2)
These are steady state limits. The factory should be consulted on applications involving pulsed or low duty cycle operations.
Discrete POWE R & Signal
T echnologies
Symbol
Parameter
Value
Units
V
CEO
V
CBO
V
EBO
I
C
T
J
, T
stg
Collector-Emitter Voltage
Collector-Base Voltage
Emitter-Base Voltage
Collector Current - Continuous
Operating and Storage Junction Temperature Range
45
75
6.0
500
V
V
V
mA
°
C
-55 to +150
Thermal Characteristics
T
A
= 25°C unless otherwise noted
Symbol
Characteristic
Max
Units
FMB100
700
5.6
180
P
D
Total Device Dissipation
Derate above 25
°
C
Thermal Resistance, Junction to Ambient
mW
mW/
°
C
°
C/W
R
θ
JA
1998 Fairchild Semiconductor Corporation
SuperSOT
-6
Mark: .NA
C1
E1
C2
B1
E2
B2
pin #1
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| FMMT92CSM | General Purpose PNP Transistor In a Hermetically Sealed Ceramic Surface Mount Package(通用PNP晶體管( 陶瓷表貼封裝)) |
| FMMT92CSM | GENERAL PURPOSE PNP TRANSISTOR IN A HERMETICALLY SEALED CERAMIC SURFACE MOUNT PACKAGE |
| FMN1.1 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 30V V(BR)DSS | CHIP |
| FMN1.2 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 33V V(BR)DSS | CHIP |
| FMN35.3 | TRANSISTOR | MOSFET | N-CHANNEL | 33V V(BR)DSS | CHIP |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| FMMT560TA | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP High V 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT560TC | 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP HighV 500V RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| FMMT576 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述: |
| FMMT589 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
| FMMT589 | 制造商:Diodes Incorporated 功能描述:TRANSISTOR PNP SOT-23 |
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