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參數(shù)資料
| 型號： | EDI416S4030A10SI |
| 英文描述： | 1Mx 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM(100MHz,1M x 16 位 x 4 組同步動態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1Mx 16位× 4個銀行同步DRAM（100MHz的，100萬× 16位× 4個組同步動態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 9/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 353K |
| 代理商： | EDI416S4030A10SI |
17
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
EDI416S4030A
June 2000 Rev. 0
FIG. 8 READ & WRITE CYCLE AT DIFFERENT BANK @ BURST LENGTH=4
RAS
CAS
ADDR
BA
DQM
A10/AP
CKE
CLOCK
CE
RAc
CAc
CAa
RBb
RAa
CL = 2
Read
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Row Active
(A-Bank)
WE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
HIGH
RAa
QAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
QAc0
QAc1
QAa1
QAa0
QAa2
DON'T CARE
CBb
Note 1
RAc
RBb
tCDL
QAc2
CL = 3
DQ
QAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
QAc0
QAc1
QAa1
QAa0
QAa2
NOTE:
1. tCDL should be met to complete write.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDI416S4030A12SI | 1Mx 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM(83MHz,1M x 16 位 x 4 組同步動態(tài)RAM) |
| EDI441024C70FC | 64kx8 EEPROM CMOS, MIL-STD-883, 250ns; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: LCC |
| EDI441024C70FI | x4 Fast Page Mode DRAM |
| EDI441024C70FM | x4 Fast Page Mode DRAM |
| EDI441024C70LZB | x4 Fast Page Mode DRAM |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDI416S4030A12SI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:1Mx16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM |
| EDI416S4030A-SI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Industrial SDRAM |
| EDI441024C100BB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| EDI441024C100BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| EDI441024C100BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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