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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | EDI416S4030A10SI |
| 英文描述： | 1Mx 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM(100MHz,1M x 16 位 x 4 組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| 中文描述： | 1Mx 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM（100MHz的，100萬× 16位× 4個(gè)組同步動(dòng)態(tài)RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 16/26頁 |
| 文件大?。?/td> | 353K |
| 代理商： | EDI416S4030A10SI |
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White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
EDI416S4030A
June 2000 Rev. 0
FIG. 14 ACTIVE/PRECHARGE POWER DOWN MODE @ CAS LATENCY=2, BURST LENGTH=4
RAS
CAS
ADDR
BA
DQM
A10/AP
CKE
CLOCK
CE
Ra
Ca
DQ
Precharge
Read
Row Active
Precharge
Power-Down
Entry
Precharge
Power-Down
Exit
Active
Power-Down
Entry
Active
Power-Down
Exit
WE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
Note 3
Note 2
tSS
DON'T CARE
tSS
tSHZ
Note 1
Ra
Qa1
Qa0
Qa2
NOTES:
1 .Both banks should be in idle state prior to entering precharge power down mode.
2. CKE should be set high at least 1CLK + tss prior to Row active command.
3. Can not violate minimum refresh specification (64ms).
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| EDI416S4030A12SI | 1Mx 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM(83MHz,1M x 16 位 x 4 組同步動(dòng)態(tài)RAM) |
| EDI441024C70FC | 64kx8 EEPROM CMOS, MIL-STD-883, 250ns; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: LCC |
| EDI441024C70FI | x4 Fast Page Mode DRAM |
| EDI441024C70FM | x4 Fast Page Mode DRAM |
| EDI441024C70LZB | x4 Fast Page Mode DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| EDI416S4030A12SI | 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:1Mx16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM |
| EDI416S4030A-SI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Industrial SDRAM |
| EDI441024C100BB | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| EDI441024C100BC | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
| EDI441024C100BI | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM |
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