參數(shù)資料
型號(hào)： EDI416S4030A10SI
英文描述： 1Mx 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM(100MHz,1M x 16 位 x 4 組同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 1Mx 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM（100MHz的，100萬(wàn)× 16位× 4個(gè)組同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 15/26頁(yè)
文件大小： 353K
代理商： EDI416S4030A10SI
22
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
EDI416S4030A
June 2000 Rev. 0
FIG. 13 BURST READ SINGLE BIT WRITE CYCLE @ BURST LENGTH=2
RAS
CAS
ADDR
BA
DQM
A10/AP
CKE
CLOCK
CE
CBc
CAd
RBb
CAa
RAa
CL = 2
Row Active
(A-Bank)
Read
(A-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
Precharge
(Both Banks)
Write
(A-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
WE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
HIGH
RAa
QAb0
QAb1
DBc0
QAd0
QAd1
DAa0
DON'T CARE
CAb
Note 2
RBb
RAc
CL = 3
DQ
QAb0
QAb1
DBc0
QAd0
QAd1
DAa0
Note 1
NOTES:
1. BRSW mode is enabled by setting As "High" at MRS (Mode Register Set). At the
BRSW Mode, the burst length at write is fixed to "1" regardless of programmed burst length.
2. When BRSW write command with auto precharge is executed, keep it in mind that tRAS
should not be violated. Auto precharge is executed at the burst-end cycle, so in the case
of BRSW write command, the next cycle starts the precharge.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDI416S4030A12SI 1Mx 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM(83MHz,1M x 16 位 x 4 組同步動(dòng)態(tài)RAM)
EDI441024C70FC 64kx8 EEPROM CMOS, MIL-STD-883, 250ns; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: LCC
EDI441024C70FI x4 Fast Page Mode DRAM
EDI441024C70FM x4 Fast Page Mode DRAM
EDI441024C70LZB x4 Fast Page Mode DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EDI416S4030A12SI 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:1Mx16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM
EDI416S4030A-SI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Industrial SDRAM
EDI441024C100BB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
EDI441024C100BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
EDI441024C100BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
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