參數(shù)資料
型號(hào)： EDI416S4030A10SI
英文描述： 1Mx 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM(100MHz,1M x 16 位 x 4 組同步動(dòng)態(tài)RAM)
中文描述： 1Mx 16位× 4個(gè)銀行同步DRAM（100MHz的，100萬(wàn)× 16位× 4個(gè)組同步動(dòng)態(tài)RAM）的
文件頁(yè)數(shù)： 8/26頁(yè)
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代理商： EDI416S4030A10SI
16
White Electronic Designs Corporation (508) 366-5151 www.whiteedc.com
EDI416S4030A
June 2000 Rev. 0
FIG. 7 PAGE WRITE CYCLE AT DIFFERENT BANK @ BURST LENGTH=4
RAS
CAS
ADDR
BA
DQM
A10/AP
CKE
CLOCK
CE
CAc
CBd
RBb
CAa
RAa
DQ
Write
(A-Bank)
Write
(B-Bank)
Row Active
(B-Bank)
Write
(B-Bank)
Precharge
(Both Banks)
Write
(A-Bank)
Row Active
(A-Bank)
WE
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
11
12
13
14
15
16
17
18
19
HIGH
RAa
DAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DAc0
DAc1
DBd0
DBd1
DAa1
DAa0
DAa2
DON'T CARE
CBb
Note 2
Note 1
RBb
tRDL
tCDL
NOTES:
1. To interrupt burst write by Row precharge, DQM should be asserted to mask invalid input data.
2. To interrupt burst write by Row precharge, both the write and the precharge banks must be the same.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
EDI416S4030A12SI 1Mx 16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM(83MHz,1M x 16 位 x 4 組同步動(dòng)態(tài)RAM)
EDI441024C70FC 64kx8 EEPROM CMOS, MIL-STD-883, 250ns; Temperature Range: -55°C to 125°C; Package: LCC
EDI441024C70FI x4 Fast Page Mode DRAM
EDI441024C70FM x4 Fast Page Mode DRAM
EDI441024C70LZB x4 Fast Page Mode DRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
EDI416S4030A12SI 制造商:WEDC 制造商全稱:White Electronic Designs Corporation 功能描述:1Mx16 Bits x 4 Banks Synchronous DRAM
EDI416S4030A-SI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Industrial SDRAM
EDI441024C100BB 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
EDI441024C100BC 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
EDI441024C100BI 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x4 Fast Page Mode DRAM
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