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參數(shù)資料
| 型號： | 28F1602C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 51/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 538K |
| 代理商： | 28F1602C3 |
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E
B.5
28F1602C3, 28F3204C3
51
PRODUCT PREVIEW
SYSTEM INTERFACE INFORMATION
Table B6. System Interface Information
Offset
Length
Description
Add.
Hex
Code
Value
1Bh
1
V
CC
logic supply minimum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
1B:
--27
2.7 V
1Ch
1
V
CC
logic supply maximum program/erase voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 BCD volts
1C:
--36
3.6 V
1Dh
1
V
PP
[programming] supply minimum program/erase
voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
1D:
--B4
11.4 V
1Eh
1
V
PP
[programming] supply maximum program/erase
voltage
bits 0–3 BCD 100 mV
bits 4–7 HEX volts
1E:
--C6
12.6 V
1Fh
1
“n” such that typical single word program time-out = 2
n
μs
1F:
--05
32 μs
20h
1
“n” such that typical max. buffer write time-out = 2
n
μs
20:
--00
NA
21h
1
“n” such that typical block erase time-out = 2
n
ms
21:
--0A
1s
22h
1
“n” such that typical full chip erase time-out = 2
n
ms
22:
--00
NA
23h
1
“n” such that maximum word program time-out = 2
n
times typical
23:
--04
512μs
24h
1
“n” such that maximum buffer write time-out = 2
n
times
typical
24:
--00
NA
25h
1
“n” such that maximum block erase time-out = 2
n
times
typical
25:
--03
8s
26h
1
“n” such that maximum chip erase time-out = 2
n
times
typical
26:
--00
NA
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