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參數(shù)資料
| 型號： | 28F1602C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 21/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 538K |
| 代理商： | 28F1602C3 |
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E
9.3
T
A =
25 °C, f
=
1 MHz
28F1602C3, 28F3204C3
21
PRODUCT PREVIEW
Capacitance
Sym
Parameter
Notes
Typ
Max
Units
Conditions
C
IN
Input Capacitance
1
16
18
pF
V
IN
=
0 V
C
OUT
Output Capacitance
1
20
22
pF
V
OUT
=
0 V
NOTE:
1.
Sampled, not 100% tested.
9.4
DC Characteristics
2.7 V
–3.3 V
Sym
Parameter
Device
Note
Typ
Max
Unit
Test Conditions
I
LI
Input Load Current
Flash/SRAM
1,7
±
2
μA
F-V
CC
/S-V
CC
=
V
CC1
Max
V
IN
=
V
CC1
Max or GND
F-V
CC
/S-V
CC
=
V
CC1
Max
V
IN
=
V
CC1
Max or GND
I
LO
Output Leakage
Current
Flash/
SRAM
1,7
0.2
±
10
μA
I
CCS
V
Standby
Current
Flash
1
10
25
μA
F-V
CC
=
V
CC1
Max
F-CE#
=
F-RP#
=
V
F-WP#
=
V
or GND
V
IN
=
V
CC1
Max or GND
S-V
=
V
CC1
Max
S-CS#
1
= V
CC
, S-CS
2
= V
CC
or
S-CS
2
= GND
V
IN
=
V
CC1
Max or GND
F-V
CC
=
V
CC
Max
V
IN
V
CC1
Max or GND
F-RP#
=
GND ± 0.2 V
I
IO
= 0 mA, S-CS#
1
=
V
IL
S-CS
2
= S-WE# =
V
IH
V
IN
= V
IL
or V
IH
2-Mb SRAM
1
0.5
10
μA
4-Mb SRAM
1
0.5
20
μA
I
CCD
V
Deep Power-
Down Current
Flash
1,7
7
20
μA
I
CC
Operating Power
Supply Current
(cycle time = 1
μ
s)
2-Mb SRAM
1
3
7
mA
4-Mb SRAM
1
8
10
mA
I
CC2
Operating Power
Supply Current
(min cycle time)
2-Mb SRAM
1
30
40
mA
Cycle time = Min, 100% duty,
I
IO
= 0 mA, S-CS#
1
= V
IL
,
S-CS
2
=
V
IH,
V
IN
= V
IL
or V
IH
4-Mb SRAM
1
30
45
mA
I
CCR
V
CC
Read Current
Flash
1,5,
7
9
18
mA
F-V
CC
= V
CC1
Max
F-OE# = V
IH
, F-CE# = V
IL
f = 5 MHz, I
OUT
= 0 mA
V
IN
= V
IL
or V
IH
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PDF描述 |
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參數(shù)描述 |
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