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參數(shù)資料
| 型號： | 28F1602C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 35/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 538K |
| 代理商： | 28F1602C3 |
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E
28F1602C3, 28F3204C3
35
PRODUCT PREVIEW
High Z
Data In
Address Stable
Device
Address Selection
Standby
ADDRESSES (A)
V
IH
V
IL
V
IH
V
IL
CS
1
# (E
1
)
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
V
IH
OE# (G)
WE# (W)
DATA (D/Q)
UB#, LB#
High Z
V
IH
V
IL
V
IH
W1
W8
CS
2
(E
2
)
V
IL
V
IH
W9
W6
W5
W2
W3
W4
W7
Figure 10. AC Waveform: SRAM Write Operations
9.11
SRAM Data Retention Characteristics
(1)
—Extended Temperature
Sym
Parameter
Note
Min
Typ
Max
Unit
Test Conditions
CS
1
#
≥
V
CC1
– 0.2 V
V
DR
S-V
for Data
Retention
2
1.5
–
3.3
V
I
DR
Deep Retention
Current
2
–
0.2
5
μA
S-V
CC
= 1.2 V
CS
1
≥
V
CC1
– 0.2 V
t
SDR
Data Retention Set-
up Time
0
–
–
ns
See Data Retention
Waveform
t
RDR
Recovery Time
t
RC
–
–
ns
NOTES:
1.
2.
Typical values at nominal S-V
CC
, T
A
=
+25 °C.
S-CS
1
#
≥
V
CC1
– 0.2 V, S-CS
2
≥
V
CC1
– 0.2 V (S-CS
1
# controlled) or S-CS
2
≤
0.2 V (S-CS
2
controlled)
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