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參數(shù)資料
| 型號： | 28F1602C3 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 3 Volt Advanced+ Stacked Chip Scale Package Memory(3V閃速存儲器和靜態(tài)存儲器) |
| 中文描述： | 3伏高級堆疊芯片級封裝存儲器（3V的閃速存儲器和靜態(tài)存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 32/62頁 |
| 文件大?。?/td> | 538K |
| 代理商： | 28F1602C3 |
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28F1602C3, 28F3204C3
E
32
PRODUCT PREVIEW
9.9
SRAM AC Characteristics
—Read Operations
(1, 4)
—Extended Temperature
Density
2/4 Mbit
Volt
2.7 V
–3.3 V
#
Sym
Parameter
Note
Min
Max
Unit
R1
t
RC
Read Cycle Time
70
–
ns
R2
t
AA
Address to Output Delay
–
70
ns
R3
t
CO1,
t
CO2
S-CS
1
#, S-CS
2
to Output Delay
–
70
ns
R4
t
OE
S-OE# to Output Delay
–
35
ns
R5
t
BA
S-UB#, LB# to Output Delay
–
70
ns
R6
t
LZ1
,
t
LZ2
S-CS
1
#, S-CS
2
to Output in Low Z
3
10
–
ns
R7
t
OLZ
S-OE# to Output in Low Z
0
–
ns
R8
t
HZ1
,
t
HZ2
S-CS
1
#, S-CS
2
to Output in High Z
2, 3
0
25
ns
R9
t
OHZ
S-OE# to Output in High Z
2
0
25
ns
R10
t
OH
Output Hold from Address, S-CS
#,
S-CS
, or S-OE# Change, Whichever
Occurs First
0
–
ns
R11
t
BLZ
S-UB#, S-LB# to Output in Low Z
0
–
ns
R12
t
BHZ
S-UB#, S-LB# to Output in High Z
0
25
ns
NOTES:
1.
2.
See Figure 9 AC Waveform: SRAM Read Operations
Timings of t
and t
are defined as the time at which the outputs achieve the open circuit conditions and are not
referenced to output voltage levels.
At any given temperature and voltage condition, t
HZ
(Max.) is less than and t
LZ
(Max.) both for a given device and from
device to device interconnection.
Sampled, but not 100% tested.
3.
4.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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