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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | STP2202ABGA |
| 元件分類： | 微控制器/微處理器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA320 |
| 封裝： | BGA-320 |
| 文件頁數(shù)： | 37/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 519K |
| 代理商： | STP2202ABGA |
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STP2202ABGA
Dual Processor System Controller
DSC
June 1998
Sun Microsystems, Inc
Basic Memory Timing
Because the DSC is expected to operate under a wide range of clock frequencies, Memory Controller (MC)
timing is programmable so that memory timing can be optimized for any given frequency. Memory refresh
and access timing have been divided into a number of segments. Memory Control and Status Register 1
(MCSR1) contains seven elds which allow custom tailoring of any particular segment: WPC1, RCD, PC0, CP,
PC1, RP, and RAS. For a detailed description of these elds, refer to the programming model in the “DSC
User’s Manual.”
The timing diagram in Figure 25 shows a generic template for a read or write transaction, how it is broken
down into segments, and the corresponding elds in MCSR1 which control that particular segment. Each
individual segment is programmable to certain values.
Figure 25. Basic Read/Write Timing
1. RCD is the RAS-to-CAS delay.
2. PC0 is the page cycle 0 time.
3. CP is the CAS-precharge time.
4. PC1 is the page cycle 1 time for a read operation.
5. WPC1 is the page cycle 1 time for a write operation.
6. RP is the RAS-precharge time.
Reads use RCD, PC0, CP, PC1, and RP. Writes only use RCD, CP, WPC1, and RP; PC0 is xed.
The Timing in Figure 26 shows a generic template for a refresh operation.
RAS
CAS
RCD
PC0
CP
PC1/WPC1
RP
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| STP2202BGA-100 | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PBGA320 |
| STP2223BGA | PCMCIA BUS CONTROLLER, PBGA456 |
| STP3021TAB | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, UUC288 |
| STP3031PQFP | SPECIALTY MICROPROCESSOR CIRCUIT, PQFP84 |
| STP5011DMBUS-75 | 64-BIT, 75 MHz, MICROPROCESSOR, XMA100 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| STP2205BGA | 制造商:SUN 功能描述: |
| STP220N6F7 | 功能描述:MOSFET N-CH 60V 120A TO-220 制造商:stmicroelectronics 系列:STripFET? F7 包裝:管件 零件狀態(tài):有效 FET 類型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 功能:標(biāo)準(zhǔn) 漏源極電壓（Vdss）:60V 電流 - 連續(xù)漏極（Id）（25°C 時(shí)）:120A（Tc） 不同?Id，Vgs 時(shí)的?Rds On（最大值）:2 毫歐 @ 60A，10V 不同 Id 時(shí)的 Vgs（th）（最大值）:4V @ 250μA 不同 Vgs 時(shí)的柵極電荷（Qg）:100nC @ 10V 不同 Vds 時(shí)的輸入電容（Ciss）:6400pF @ 25V 功率 - 最大值:237W 工作溫度:-55°C ~ 175°C（TJ） 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 供應(yīng)商器件封裝:TO-220 標(biāo)準(zhǔn)包裝:50 |
| STP2210QFP | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Interrupt Controller |
| STP2220ABGA | 制造商:SUN 功能描述: 制造商:SUN 功能描述:Electronic Component |
| STP2222ABGA | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:Uniprocessor System Controller |
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