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參數(shù)資料
| 型號： | NZ48F4L0QTY |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | StrataFlash Wireless Memory |
| 中文描述： | 無線的StrataFlash存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 55/106頁 |
| 文件大?。?/td> | 1272K |
| 代理商： | NZ48F4L0QTY |
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Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Datasheet
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
April 2005
55
10.3.4
Data Hold
For burst read operations, the Data Hold (DH) bit determines whether the data output remains valid
on DQ[15:0] for one or two-clock cycles. This period of time is called the “data cycle”. When DH
is set, output data is held for two clocks (default). When DH is cleared, output data is held for one
clock (see
Figure 26
). The processor’s data setup time and the flash memory’s clock-to-data output
delay should be considered when determining whether to hold output data for one or two clocks. A
method for determining the Data Hold configuration is shown below:
To set the device at one clock data hold for subsequent reads, the following condition must be
satisfied:
t
CHQV
(ns) + t
DATA
(ns)
≤
One CLK Period (ns)
t
DATA
= Data set up to Clock (defined by CPU)
For example, with a clock frequency of 40 MHz, the clock period is 25 ns. Assuming
t
CHQV
= 20 ns and t
DATA
= 4ns. Applying these values to the formula above:
20 ns + 4 ns
≤
25 ns
The equation is satisfied and data will be available at every clock period with data hold setting at
one clock.
If t
CHQV
(ns) + t
DATA
(ns) >
One CLK Period (ns), data hold setting of 2 clock periods must be
used.
Table 13.
WAIT Functionality Table
Condition
WAIT
Notes
CE# = ‘1’, OE# = ‘X’
CE# = ‘X’, OE# = ‘1’
High-Z
1
CE# =’0’, OE# = ‘0’
Active
1
Synchronous Array Reads
Active
1
Synchronous Non-Array Reads
Active
1
All Asynchronous Reads
Deasserted
1
All Writes
High-Z
1,2
Notes:
1.
Active:
WAIT is asserted until data becomes valid, then
deasserts
When OE# = V
IH
during writes, WAIT = High-Z
2.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NZ48F4L0QTZ | StrataFlash Wireless Memory |
| NZD560A | NPN Low Saturation Transistor |
| NZF220DFT1G | EMI Filter with ESD Protection |
| NZF220TT1 | EMI Filter with ESD Protection(帶ESD保護功能的EMI濾波器) |
| NZL5V1AXV3T1 | Zener Voltage Regulators (SC-89 Dual Common Anode Zeners for ESD Protection) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NZ48F4L0QTZ | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| NZ600N18K | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| NZ9F10VST5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| NZ9F10VT5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| NZ9F11VST5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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