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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NZ48F4L0QTY |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | StrataFlash Wireless Memory |
| 中文描述： | 無(wú)線的StrataFlash存儲(chǔ)器 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/106頁(yè) |
| 文件大小： | 1272K |
| 代理商： | NZ48F4L0QTY |
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Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Datasheet
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
April 2005
23
4.3
Memory Map
See
Table 3
and
Table 4
. The memory array is divided into multiple partitions; one parameter
partition and several main partitions:
64-Mbit device. This contains eight partitions: one 8-Mbit parameter partition, seven 8-Mbit
main partitions.
128-Mbit device. This contains sixteen partitions: one 8-Mbit parameter partition, fifteen 8-
Mbit main partitions.
256-Mbit device. This contains sixteen partitions: one 16-Mbit parameter partition, fifteen 16-
Mbit main partitions.
Table 3.
Top Parameter Memory Map
Size (KW)
Blk
64-Mbit
Size (KW)
Blk
128-Mbit
43
8
P
O
16
16
16
16
64
…
64
66
65
64
63
62
…
56
3FC000-3FFFFF
3F8000-3FBFFF
3F4000-3F7FFF
3F0000-3F3FFF
3E0000-3EFFFF
…
380000-38FFFF
8
P
O
16
16
16
16
64
…
64
130 7FC000-7FFFFF
129
7F8000-7FBFFF
128
7F4000-7F7FFF
127
7F0000-7F3FFF
126 7E0000-7EFFFF
…
120
780000-78FFFF
…
8
P
S
P
64
55
370000-37FFFF
8
P
F
P
64
119
770000-77FFFF
…
…
…
…
64
0
000000-00FFFF
64
0
000000-00FFFF
Size (KW)
Blk
256-Mbit
1
P
O
16
16
16
16
64
…
64
258 FFC000-FFFFFF
257 FF8000-FFBFFF
256
FF4000-FF7FFF
255
FF0000-FF3FFF
254 FE0000-FEFFFF
…
240
F00000-FFFFFF
…
1
S
P
64
239 EF0000-EFFFFF
…
64
128
800000-80FFFF
E
P
64
127
7F0000-7FFFFF
…
64
0
000000-00FFFF
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NZ48F4L0QTZ | StrataFlash Wireless Memory |
| NZD560A | NPN Low Saturation Transistor |
| NZF220DFT1G | EMI Filter with ESD Protection |
| NZF220TT1 | EMI Filter with ESD Protection(帶ESD保護(hù)功能的EMI濾波器) |
| NZL5V1AXV3T1 | Zener Voltage Regulators (SC-89 Dual Common Anode Zeners for ESD Protection) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NZ48F4L0QTZ | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| NZ600N18K | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| NZ9F10VST5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| NZ9F10VT5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| NZ9F11VST5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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