參數(shù)資料
型號： NZ48F4L0QTY
廠商： Intel Corp.
英文描述： StrataFlash Wireless Memory
中文描述： 無線的StrataFlash存儲器
文件頁數(shù)： 16/106頁
文件大小： 1272K
代理商： NZ48F4L0QTY
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
April 2005
16
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
Datasheet
4.0
Ballout and Signal Descriptions
4.1
Signal Ballout
This section includes signal ballouts for the following packages:
VF BGA Package Ballout
SCSP Package Ballout
4.1.1
VF BGA Package Ballout
The Intel StrataFlash Wireless Memory (L18) is available in a VF BGA package with 0.75 mm
ball-pitch.
Figure 5
shows the ballout for the 64-Mbit and 128-Mbit devices in the 56-ball VF BGA
package with a 7x8 active-ball matrix.
Figure 6
shows the device ballout for the 256-Mbit device in
the 63-ball VF BGA package with a 7x9 active-ball matrix. Both package densities are ideal for
space-constrained board applications
Note:
On lower-density devices, upper-address balls can be treated as NC. (e.g., for 64-Mbit density, A22 will be NC)
Figure 5.
7x8 Active-Ball Matrix for 64-, and 128-Mbit Densities in VF BGA Packages
VFBGA 7x8
Bottom View - Ball Side Up
VFBGA 7x8
Top View - Ball Side Down
2
3
4
5
6
7
8
1
A8
VSS
VCC
VPP
A18
A6
A4
A9
A20
CLK
RST#
A17
A5
A3
A10
A21
WE#
A19
A7
A2
A14
WAIT
A16
D12
WP#
A22
D15
D6
D4
D2
D1
CE#
A0
D14
D13
D11
D10
D9
D0
OE#
ADV#
A1
VSSQ
VCC
D3
VCCQ
D8
VSSQ
A11
A12
A13
A15
VCCQ
VSS
D7
D5
A
B
C
D
E
F
G
2
3
4
5
6
7
8
1
A8
VSS
VCC
VPP
A18
A6
A4
A9
A20
CLK
RST#
A17
A5
A3
A10
A21
WE#
A19
A7
A2
A14
WAIT
A16
D12
WP#
A22
D15
D6
D4
D2
D1
CE#
A0
D14
D13
D11
D10
D9
D0
OE#
ADV#
A1
VSSQ
VCC
D3
VCCQ
D8
VSSQ
A11
A12
A13
A15
VCCQ
VSS
D7
D5
A
B
C
D
E
F
G
相關PDF資料
PDF描述
NZ48F4L0QTZ StrataFlash Wireless Memory
NZD560A NPN Low Saturation Transistor
NZF220DFT1G EMI Filter with ESD Protection
NZF220TT1 EMI Filter with ESD Protection(帶ESD保護功能的EMI濾波器)
NZL5V1AXV3T1 Zener Voltage Regulators (SC-89 Dual Common Anode Zeners for ESD Protection)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NZ48F4L0QTZ 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory
NZ600N18K 制造商:n/a 功能描述:Power Module
NZ9F10VST5G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
NZ9F10VT5G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
NZ9F11VST5G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
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