參數(shù)資料
型號： NZ48F4L0QTY
廠商： Intel Corp.
英文描述： StrataFlash Wireless Memory
中文描述： 無線的StrataFlash存儲器
文件頁數(shù)： 29/106頁
文件大?。?/td> 1272K
代理商： NZ48F4L0QTY
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Datasheet
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
April 2005
29
7.2
Capacitance
Figure 10.
Clock Input AC Waveform
CLK [C]
V
IH
V
IL
R203
R202
R201
CLKINPUT.WMF
Table 6.
Capacitance
Symbol
Parameter
Signals
Address, CE#,
WE#, OE#,
RST#, CLK,
ADV#, WP#
Data, WAIT
Min
Typ
Max
Unit
Condition
Note
C
IN
Input Capacitance
2
6
7
pF
Typ temp= 25 °C,
Max temp = 85 °C,
V
CC
=V
CCQ
=(0-1.95) V,
Silicon die
1,2
C
OUT
NOTES:
1.
2.
Output Capacitance
2
4
5
pF
Sampled, not 100% tested.
Silicon die capacitance only, add 1 pF for discrete packages.
相關PDF資料
PDF描述
NZ48F4L0QTZ StrataFlash Wireless Memory
NZD560A NPN Low Saturation Transistor
NZF220DFT1G EMI Filter with ESD Protection
NZF220TT1 EMI Filter with ESD Protection(帶ESD保護功能的EMI濾波器)
NZL5V1AXV3T1 Zener Voltage Regulators (SC-89 Dual Common Anode Zeners for ESD Protection)
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
NZ48F4L0QTZ 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory
NZ600N18K 制造商:n/a 功能描述:Power Module
NZ9F10VST5G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
NZ9F10VT5G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
NZ9F11VST5G 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。

采購需求

(若只采購一條型號，填寫一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購。也可以進入我的后臺，查看報價

*型號 *數(shù)量 廠商 批號 封裝
添加更多采購

我的聯(lián)系方式

*
*
*