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參數(shù)資料
| 型號： | NZ48F4L0QTY |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | StrataFlash Wireless Memory |
| 中文描述： | 無線的StrataFlash存儲器 |
| 文件頁數(shù)： | 13/106頁 |
| 文件大小： | 1272K |
| 代理商： | NZ48F4L0QTY |
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Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Datasheet
Intel StrataFlash Wireless Memory (L18)
Order Number: 251902, Revision: 009
April 2005
13
Figure 2.
256-Mbit, 79-Ball VF BGA Package Drawing and Dimensions
Dimensions Table
Side View
Top View - Ball Side Down
Bottom View - Ball Side Up
A2
A
Seating
Plane
Y
A1
S2
A1 Index
Mark
E
b
A1 Index
Mark
S1
e
D
A
B
C
D
E
F
G
4
5
6
7
3 2 1
8
9
10
11
12
13
A
B
C
D
E
F
G
4
5 6
7
3
2
1
8 9 10 11 1213
Drawing not to scale
Millimeters
Nom
Inches
Nom
Dimensions
Package Height
Ball Height
Package Body Thickness
Ball (Lead) Width
Package Body Length (256Mb)
Package Body Width (256Mb)
Pitch
Ball (Lead) Count
Seating Plane Coplanarity
Corner to Ball A1 Distance Along D
Corner to Ball A1 Distance Along E
Symbol
A
A1
A2
b
D
E
e
N
Y
S1
S2
Min
Max
1.000
Notes
Min
Max
0.0394
0.150
0.0059
0.665
0.375
11.000
9.000
0.750
79
0.0262
0.0148
0.4331
0.3543
0.0295
79
0.325
10.900
8.900
0.425
11.100
9.100
0.0128
0.4291
0.3504
0.0167
0.4370
0.3583
0.100
1.100
2.350
0.0039
0.0433
0.0925
0.900
2.150
1.000
2.250
0.0354
0.0846
0.0394
0.0886
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NZ48F4L0QTZ | StrataFlash Wireless Memory |
| NZD560A | NPN Low Saturation Transistor |
| NZF220DFT1G | EMI Filter with ESD Protection |
| NZF220TT1 | EMI Filter with ESD Protection(帶ESD保護(hù)功能的EMI濾波器) |
| NZL5V1AXV3T1 | Zener Voltage Regulators (SC-89 Dual Common Anode Zeners for ESD Protection) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NZ48F4L0QTZ | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:StrataFlash Wireless Memory |
| NZ600N18K | 制造商:n/a 功能描述:Power Module |
| NZ9F10VST5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| NZ9F10VT5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
| NZ9F11VST5G | 功能描述:穩(wěn)壓二極管 ZENER DIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 齊納電壓:12 V 電壓容差:5 % 電壓溫度系數(shù):0.075 % / K 齊納電流: 功率耗散:3 W 最大反向漏泄電流:3 uA 最大齊納阻抗:7 Ohms 最大工作溫度:+ 150 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:DO-214AC 封裝:Reel |
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