- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄296408 > M58WR064KU70ZA6U (NUMONYX) 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | M58WR064KU70ZA6U |
| 廠商： | NUMONYX |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 4M X 16 FLASH 1.8V PROM, 70 ns, PBGA44 |
| 封裝： | 7.50 X 5 MM, 0.50 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-44 |
| 文件頁數(shù)： | 37/122頁 |
| 文件大?。?/td> | 2187K |
| 代理商： | M58WR064KU70ZA6U |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁當前第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁
M58WRxxxKU, M58WRxxxKL
Bus operations
21/123
3.5
Standby
Standby disables most of the internal circuitry allowing a substantial reduction of the current
consumption. The memory is in standby when Chip Enable and Reset are at VIH. The power
consumption is reduced to the standby level and the outputs are set to high impedance,
independently from the Output Enable or Write Enable inputs. If Chip Enable switches to VIH
during a program or erase operation, the device enters standby mode when finished.
3.6
Reset/Power-down
During reset mode the memory is deselected and the outputs are high impedance. The
memory is in reset mode when Reset/Power-down is at VIL. The power consumption is
reduced to the standby level, or to the reset/power-down level if the power-down function is
enabled, independent of the Chip Enable, Output Enable or Write Enable inputs. If
Reset/Power-Down is pulled to VSS during a program or erase, this operation is aborted and
the memory content is no longer valid.
Table 5.
Bus operations
Operation
E
G
W
L
RP
WAIT(1)
1.
WAIT signal polarity is configured using the Set Configuration Register command.
ADQ15-ADQ0
Bus read
VIL
VIH
Data output
Bus write
VIL
VIH
VIL
VIH
Data input
Address latch
VIL
VIH
xVIL
VIH
Address input
Output disable
VIL
VIH
Hi-Z
Standby
VIH
X(2)
2.
X = ‘don't care’
XX
VIH
Hi-Z
Reset/power-
down
XX
X
VIL
Hi-Z
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| M5L28FGNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L13TCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L14FCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M3L15TGNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
| M5L13TCNFREQ | CRYSTAL OSCILLATOR, CLOCK, 1.544 MHz - 125 MHz, HCMOS OUTPUT |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| M58WR064T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064T100ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064T70ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR064T85ZB6T | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit (4Mb x 16, Multiple Bank, Burst ) 1.8V Supply Flash Memory |
| M58WR128EB | 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。