- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373153 > KM4132G512 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM4132G512 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) |
| 中文描述： | 256 × 32Bit的× 2銀行同步圖形存儲(chǔ)器（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 6/49頁(yè) |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | KM4132G512 |
第1頁(yè)第2頁(yè)第3頁(yè)第4頁(yè)第5頁(yè)當(dāng)前第6頁(yè)第7頁(yè)第8頁(yè)第9頁(yè)第10頁(yè)第11頁(yè)第12頁(yè)第13頁(yè)第14頁(yè)第15頁(yè)第16頁(yè)第17頁(yè)第18頁(yè)第19頁(yè)第20頁(yè)第21頁(yè)第22頁(yè)第23頁(yè)第24頁(yè)第25頁(yè)第26頁(yè)第27頁(yè)第28頁(yè)第29頁(yè)第30頁(yè)第31頁(yè)第32頁(yè)第33頁(yè)第34頁(yè)第35頁(yè)第36頁(yè)第37頁(yè)第38頁(yè)第39頁(yè)第40頁(yè)第41頁(yè)第42頁(yè)第43頁(yè)第44頁(yè)第45頁(yè)第46頁(yè)第47頁(yè)第48頁(yè)第49頁(yè)
KM4132G512
CMOS SGRAM
- 7 -
Rev. 2.2 (June 1998)
AC OPERATING TEST CONDITIONS
(V
DD
= 3.3V
±
0.3V, T
A
= 0 to 70
°
C)
Parameter
Value
AC input levels
V
ih
/V
il
= 2.4V / 0.4V
Input timing measurement reference level
1.4V
Input rise and fall time(See note 3)
t
R
/
t
F
=1ns/ 1ns
Output timing measurement reference level
1.4V
Output load condition
See Fig. 2
3.3V
1200
870
Output
30pF
V
OH
(DC) = 2.4V, I
OH
= -2mA
V
OL
(DC) = 0.4V, I
OL
= 2mA
V
tt
= 1.4V
50
Output
30pF
Z0=50
(Fig. 2) AC Output Load Circuit
(Fig. 1) DC Output Load Circuit
AC CHARACTERISTICS
(AC operating conditions unless otherwise noted)
* All AC parameters are measured from half to half.
Parameter
Symbol
-6
-7
-8
-10
Unit
Note
Min
Max
Min
Max
Min
Max
Min
Max
CLK cycle time
CAS Latency=3
t
CC
6
1000
7
1000
8
1000
10
1000
ns
1
CAS Latency=2
12
12
12
13
CLK to valid
output delay
CAS Latency=3
t
SAC
-
5.5
-
6
-
6.5
-
7
ns
1, 2
CAS Latency=2
-
8
-
8
-
8
-
9
Output data hold time
t
OH
2.5
2.5
2.5
2.5
ns
2
CLK high pulse width
t
CH
2.5
2.5
3
3.5
ns
3
CLK low pulse width
t
CL
2.5
2.5
3
3.5
ns
3
Input setup time
t
SS
2
2
2.5
2.5
ns
3
Input hold time
t
SH
1
1
1
1
ns
3
CLK to output in Low-Z
t
SLZ
1
1
1
1
ns
2
CLK to output
in Hi-Z
CAS latency=3
t
SHZ
-
5.5
-
6
-
6.5
-
7
ns
CAS latency=2
-
8
-
8
-
8
-
9
1. Parameters depend on programmed CAS latency.
2. If clock rising time is longer than 1ns, (tr/2-0.5)ns should be added to the parameter.
3. Assumed input rise and fall time (tr & tf)=1ns.
If tr & tf is longer than 1ns, transient time compensation should be considered,
i.e., [(tr + tf)/2-1]ns should be added to the parameter.
Note :
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416C1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1200C | 12.4K OHM 1% 1/2W M/F LEADED RESISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G51207 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:New |
| KM4132G512Q-10 | 制造商:SEC 功能描述:SGRAM, 2X256KX32, 100 Pin, Plastic, QFP |
| KM4132G512Q-8T | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| KM4132G512TQ-10 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, 7 ns, PQFP100 |
| KM41464A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64K X 4 BIT DYNAMIC RAM WITH PAGE MODE |
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。