- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄373153 > KM4132G512 (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | KM4132G512 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) |
| 中文描述： | 256 × 32Bit的× 2銀行同步圖形存儲(chǔ)器（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 46/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 934K |
| 代理商： | KM4132G512 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁當(dāng)前第46頁第47頁第48頁第49頁
KM4132G512
CMOS SGRAM
- 47
Rev. 2.2 (June 1998)
FUNCTION TRUTH TABLE(TABLE 1)
Current
State
CS
RAS
CAS
WE
DSF
BA
(A
10
)
ADDR
ACTION
NOTE
IDLE
H
X
X
X
X
X
X
NOP
L
L
L
L
H
H
H
L
H
H
L
H
H
L
X
H
X
X
X
L
X
X
BA
BA
X
X
NOP
ILLEGAL
ILLEGAL
Row Active ; Latch Row Address ; Non-IO Mask
2
2
CA
RA
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
L
H
L
L
H
H
L
H
L
BA
BA
X
X
RA
PA
X
X
Row Active ; Latch Row Address ; IO Mask
NOP
ILLEGAL
Auto Refresh or Self Refresh
4
5
L
L
L
H
L
L
L
X
L
L
L
X
H
L
L
X
H
L
H
X
X
X
ILLEGAL
Mode Register Access
Special Mode Register Access
NOP
OP Code
OP Code
X
5
6
Row
Active
X
L
L
L
L
H
H
H
H
H
H
L
L
H
L
H
H
X
X
L
H
X
X
BA
X
X
X
NOP
ILLEGAL
Begin Read ; Latch CA ; Determine AP
ILLEGAL
2
CA,AP
X
L
L
L
L
H
H
L
L
L
L
H
H
L
L
H
L
L
H
X
L
BA
BA
BA
BA
CA,AP
CA,AP
RA
PA
Begin Write ;Latch CA ; Determine AP
Block Write ;Latch CA ; Determine AP
ILLEGAL
Precharge
2
L
L
L
L
L
L
L
L
H
L
L
L
L
H
L
L
H
X
L
H
X
X
X
X
X
X
ILLEGAL
ILLEGAL
ILLEGAL
Special Mode Register Access
OP Code
6
Read
H
L
L
L
X
H
H
H
X
H
H
H
X
H
L
L
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
NOP(Continue Burst to End --> Row Active)
NOP(Continue Burst to End --> Row Active)
Term burst --> Row active
ILLEGAL
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
L
L
L
H
L
H
BA
X
BA
BA
CA,AP
X
CA,AP
CA.AP
Term burst ; Begin Read ; Latch CA ; Determine AP
ILLEGAL
Term burst ; Begin Write ; Latch CA ; Determine AP
Term burst ; Block Write ; Latch CA ; Determine AP
3
3
3
L
L
L
L
L
L
L
L
H
H
H
L
H
L
L
X
X
L
H
X
BA
BA
X
X
RA
PA
X
X
ILLEGAL
Term Burst ; Precharge timing for Reads
ILLEGAL
ILLEGAL
2
3
Write
H
L
L
L
X
H
H
H
X
H
H
H
X
H
L
L
X
X
L
H
X
X
X
X
X
X
X
X
NOP(Continue Burst to End --> Row Active)
NOP(Continue Burst to End --> Row Active)
Term burst --> Row active
ILLEGAL
L
L
L
L
H
H
H
H
L
L
L
L
H
H
L
L
L
H
L
H
BA
X
BA
BA
CA,AP
X
CA,AP
CA,AP
Term burst ; Begin Read ; Latch CA ; Determine AP
ILLEGAL
Term burst ; Begin Write ; Latch CA ; Determine AP
Term burst ; Block Write ; Latch CA ; Determine AP
3
3
3
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416C1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1200C | 12.4K OHM 1% 1/2W M/F LEADED RESISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G51207 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:New |
| KM4132G512Q-10 | 制造商:SEC 功能描述:SGRAM, 2X256KX32, 100 Pin, Plastic, QFP |
| KM4132G512Q-8T | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| KM4132G512TQ-10 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, 7 ns, PQFP100 |
| KM41464A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64K X 4 BIT DYNAMIC RAM WITH PAGE MODE |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。