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參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G512 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) |
| 中文描述： | 256 × 32Bit的× 2銀行同步圖形存儲器（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 40/49頁 |
| 文件大小： | 934K |
| 代理商： | KM4132G512 |
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KM4132G512
CMOS SGRAM
- 41
Rev. 2.2 (June 1998)
0
1
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Write Interrupted by Precharge Command & Write Burst Stop Cycle (@ Full page Only)
Row Active
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
Precharge
(A-Bank)
Write
(A-Bank)
*Note 3
tBDL
1. At full page mode, burst is wrap-around at the end of burst. So auto precharge is impossible.
2. Data-in at the cycle of burst stop command cannot be written into the corresponding memory cell.
It is defined by AC parameter of
t
BDL
(=1CLK).
3. Data-in at the cycle of interrupted by precharge cannot be written into the corresponding memory cell.
It is defined by AC parameter of
t
RDL
(=1CLK).
DQM at write interrupted by precharge command is needed to ensure
t
RDL
of 1CLK.
DQM should mask invalid input data on precharge command cycle when asserting precharge before end of burst.
Input data after Row precharge cycle will be masked internally.
4. Burst stop is valid only at full page burst length.
HIGH
t
RDL
A
10
DQ
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
A
9
DAa0
DAa1
DAa2
DAa3
DAa4
DAb0
DAb1
DAb2
DAb3
DAb4
DAb5
RAa
CAa
CAb
RAa
DSF
*Note 1
*Note 1
*Note 2
Burst Stop
*Note :
: Don
′
t care
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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