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參數(shù)資料
| 型號： | KM4132G512 |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256K x 32Bit x 2 Banks Synchronous Graphic RAM(256K x 32位 x 2組同步圖形 RAM) |
| 中文描述： | 256 × 32Bit的× 2銀行同步圖形存儲(chǔ)器（256K × 32位× 2組同步圖形RAM）的 |
| 文件頁數(shù)： | 18/49頁 |
| 文件大?。?/td> | 934K |
| 代理商： | KM4132G512 |
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KM4132G512
CMOS SGRAM
- 19
Rev. 2.2 (June 1998)
t
CCD Note 2
t
CDL
Note 3
t
CCD Note 2
t
CDL
Note 3
1. By " Interrupt ", It is possible to stop burst read/write by external command before the end of burst.
By "CAS Interrupt" , to stop burst read/write by CAS access ; read, write and block write.
2. t
CCD
: CAS to CAS delay. (=1CLK)
3. t
CDL
: Last data in to new column address delay. (=1CLK)
4. Pixel :Pixel mask.
5. t
BWC
: Block write minimum cycle time.
DQ(CL2)
DQ(CL3)
t
CCD Note 2
t
CDL
Note 3
Note 4
t
BWC
Note 5
Note 4
Note 2
3. CAS Interrupt (I)
1) Read interrupted by Read (BL=4)
Note 1
CLK
CMD
ADD
2) Write interrupted by(Block) Write (BL=2)
3) Write interrupted by Read (BL=2)
DQ(CL2)
DQ(CL3)
4) Block Write to Block Write
CLK
CMD
ADD
DQ
RD
RD
A
B
QA
0
QA
0
QB
0
QB
0
QB
1
QB
2
QB
3
QB
1
QB
2
QB
3
t
CCD
A
B
C
D
WR
WR
WR
BW
DA
0
DB
0
DB
1
DC
0
Pixel
DA
0
DA
0
QB
0
QB
1
QB
0
QB
1
A
B
WR
RD
A
B
Pixel
Pixel
BW
BW
*Note :
CLK
CMD
ADD
DQ
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| KM416C1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1000B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416V1200B | 1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
| KM416C1200C | 12.4K OHM 1% 1/2W M/F LEADED RESISTOR |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| KM4132G51207 | 制造商:SAMSUNG 功能描述:New |
| KM4132G512Q-10 | 制造商:SEC 功能描述:SGRAM, 2X256KX32, 100 Pin, Plastic, QFP |
| KM4132G512Q-8T | 制造商:Samsung SDI 功能描述: |
| KM4132G512TQ-10 | 制造商:Samsung Electro-Mechanics 功能描述:512K X 32 SYNCHRONOUS GRAPHICS RAM, 7 ns, PQFP100 |
| KM41464A | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:64K X 4 BIT DYNAMIC RAM WITH PAGE MODE |
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