參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18L128160BF-75
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84%
中文描述： 針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用的DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 8/53頁(yè)
文件大小： 1328K
代理商： HYB18L128160BF-75
HY[B/E]18L128160B[C/F]-7.5
128-Mbit Mobile-RAM
Overview
Data Sheet
8
V1.4, 2004-04-30
1.2
Pin Configuration
Figure 1
Standard Ballout 128-Mbit Mobile-RAM
Table 3
Type
1)
Ordering Information
Package
Description
Commercial Temperature Range
HYB18L128160BC-7.5
HYB18L128160BF-7.5
P-VFBGA-54-2
P-VFBGA-54-2
133 MHz 4 Banks
×
2 Mbit
×
16 LP-SDRAM
133 MHz 4 Banks
×
2 Mbit
×
16 LP-SDRAM
Extended Temperature Range
HYE18L128160BC-7.5
HYE18L128160BF-7.5
P-VFBGA-54-2
P-VFBGA-54-2
133 MHz 4 Banks
×
2 Mbit
×
16 LP-SDRAM
133 MHz 4 Banks
×
2 Mbit
×
16 LP-SDRAM
1) HYB / HYE: Designator for memory products (HYB: standard temp. range; HYE: extended temp. range)
18L: 1.8V Mobile-RAM
128: 128 MBit density
160: 16 bit interface width
B: die revision
C / F: lead-containing product (C) / green product (F)
-7.5: speed grade(s): min. clock cycle time
V
SSQ
UDQM
V
DDQ
V
SSQ
V
DDQ
V
SS
DQ12
DQ10
DQ15
CKE
CLK
A9
NC
(*)
A8
A11
DQ9
DQ11
DQ13
V
SS
1
2
3
BA1
DQ6
DQ4
DQ2
V
DD
7
LDQM
DQ0
V
SSQ
V
DDQ
V
SSQ
V
DD
BA0
A1
A10/AP
8
V
DDQ
DQ1
DQ3
DQ5
DQ7
9
A
B
C
D
F
G
H
J
E
CAS
RAS
WE
A0
A7
V
SS
A4
V
DD
A3
A2
A5
DQ14
A6
NC
DQ8
CS
(*) = no function; -0.3V ..
V
DDQ
+ 0.3V
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HYB18L128160BC-7.5 BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM
HYB18L128160BF-7.5 BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM
HYB18L256160BF-75 DRAMs for Mobile Applications
HYB18L256160BC-7.5 BJAWBMSpecialty DRAMs Mobile-RAM
HYB18L256160BF-7.5 RT ANG PCB CONT .40/1.295 BULK
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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