參數(shù)資料
型號(hào)： HYB18L128160BF-75
廠商： INFINEON TECHNOLOGIES AG
英文描述： ECONOLINE: RKZ - Safety standards and approvals: EN 60950 certified, rated for 250VAC (LVD test report)- Custom Solutions Available- 3kVDC & 4kVDC Isolation- UL94V-0 Package Material- Power Sharing on Output- Efficiency to 84%
中文描述： 針對(duì)移動(dòng)應(yīng)用的DRAM
文件頁(yè)數(shù)： 48/53頁(yè)
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代理商： HYB18L128160BF-75
HY[B/E]18L128160B[C/F]-7.5
128-Mbit Mobile-RAM
Electrical Characteristics
Data Sheet
44
V1.4, 2004-04-30
Table 19
Parameter
Electrical Characteristics
1)
1) 0
°
C
≤
T
C
≤
70
°
C (comm.); -25
°
C
≤
T
C
≤
85
°
C (ext.); all voltages referenced to
V
SS
.
V
SS
and
V
SSQ
must be at same potential.
2)
V
IH
may overshoot to
V
DD
+ 0.8 V for pulse width < 4 ns;
V
IL
may undershoot to -0.8 V for pulse width < 4 ns.
Pulse width measured at 50% with amplitude measured between peak voltage and DC reference level.
Symbol
Values
Unit
Notes
min.
1.65
1.65
max.
1.95
1.95
Power Supply Voltage
Power Supply Voltage for DQ Output Buffer
Input high voltage
Input low voltage
Output high voltage
Output low voltage
Input leakage current
Output leakage current
V
DD
V
DDQ
V
IH
V
IL
V
OH
V
OL
I
IL
I
OL
V
V
V
V
V
V
μ
A
μ
A
–
–
2)
0.8
×
V
DDQ
-0.3
V
DDQ
- 0.2
–
-1.0
-1.5
V
DDQ
+ 0.3
0.3
–
0.2
1.0
1.5
2)
–
–
–
–
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PDF描述
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