參數(shù)資料
型號： HB52E89EM
廠商： Hitachi,Ltd.
英文描述： 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
中文描述： 64 MB的無緩沖SDRAM的內(nèi)存（64MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存）
文件頁數(shù)： 58/64頁
文件大?。?/td> 2741K
代理商： HB52E89EM
HB52E88EM-F, HB52E89EM-F, HB52E168EN-F, HB52E169EN-F
58
Read/Burst Write Cycle
<
D
E
N
2
;
<
D
<
D
E
;
<
D
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E
N
4
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F
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1
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J
13
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20
R:a
C:a
R:b
C:a'
R:a
C:a
C:a
A
I
J
@
A
I
a+1
a
a+1 a+2 a+3
H
PI
H
H
H
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
Read/Burst write
RE
-
CE
delay = 3
CE
latency = 3
Burst length = 4
= V or V
IH
'
(
0
1
)
&
.
/
7
8
@
*
2
3
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R:b
Bank 3
Active
4
5
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+
4
5
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+
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*
+
4
"
*
+
9
B
J
K
9
A
B
J
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9
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B
J
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7
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A
H
I
#$
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5
+
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5
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+
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"
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+
CKE
RE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
CK
CKE
RE
S
CE
W
BA
Address
DQMB
a+1 a+2 a+3
a
a+3
a
A
I
J
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3
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C
D
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'
Bank 0
Active
Bank 0
Read
Bank 3
Active
Clock
suspend
Bank 0
Write
Bank 0
Precharge
Bank 3
Precharge
&
'
.
/
6
7
@
"
V
IH
IL
Din
Dout
Din
Dout
相關(guān)PDF資料
PDF描述
HB52E169E12 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM)
HB52E648EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649EN 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM)
HB52E649E12 THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes
HB52E649E12-A6B 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
HB52E89EM-B6 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module
HB52F168GB-75B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52F168GB-75BL 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
HB52F168GB-B 制造商:ELPIDA 制造商全稱:Elpida Memory 功能描述:128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword × 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M × 16 components) PC133/100 SDRAM
HB52F328DC-75B 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module
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