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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | HB52E89EM |
| 廠商： | Hitachi,Ltd. |
| 英文描述： | 64 MB Unbuffered SDRAM DIMM(64MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| 中文描述： | 64 MB的無(wú)緩沖SDRAM的內(nèi)存（64MB的未緩沖同步的DRAM內(nèi)存） |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 23/64頁(yè) |
| 文件大小： | 2741K |
| 代理商： | HB52E89EM |
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HB52E88EM-F, HB52E89EM-F, HB52E168EN-F, HB52E169EN-F
23
Capacitance (Ta = 25
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V) (HB52E168EN)
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQMB = V
IH
to disable Data-out.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
Capacitance (Ta = 25
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V) (HB52E169EN)
Notes: 1. Capacitance measured with Boonton Meter or effective capacitance measuring method.
2. Measurement condition: f = 1 MHz, 1.4 V bias, 200 mV swing.
3. DQMB = V
IH
to disable Data-out.
4. This parameter is sampled and not 100% tested.
AC Characteristics (Ta = 0 to 65
°
C, V
CC
= 3.3 V
±
0.3 V, V
SS
= 0 V)
Parameter
Input capacitance (Address)
Input capacitance (RE, CE, W)
Input capacitance (CKE)
Input capacitance (S)
Input capacitance (CK)
Input capacitance (DQMB)
Input/Output capacitance (DQ)
Symbol
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
I/O1
Max
105
90
68
38
50
23
22
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
Notes
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3, 4
Parameter
Input capacitance (Address)
Input capacitance (RE, CE, W)
Input capacitance (CKE)
Input capacitance (S)
Input capacitance (CK)
Input capacitance (DQMB)
Input/Output capacitance (DQ)
Symbol
C
I1
C
I2
C
I3
C
I4
C
I5
C
I6
C
I/O1
Max
112
97
70
40
50
27
22
Unit
pF
pF
pF
pF
pF
pF
pF
Notes
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 4
1, 2, 3, 4
Parameter
System clock cycle time
(CE latency = 2)
(CE latency = 3)
CK high pulse width
CK low pulse width
Access time from CK
(CE latency = 2)
(CE latency = 3)
Data-out hold time
HITACHI-
Symbol
PC100
Symbol
HB52E88EM/89EM/
168EN/169EN
-A6F/B6F
Min
Unit
Notes
1
Max
t
CK
t
CK
t
CKH
t
CKL
Tclk
Tclk
Tch
Tcl
10
10
3
3
—
—
—
—
ns
ns
ns
ns
1
1
1, 2
t
AC
t
AC
t
OH
Tac
Tac
Toh
—
—
3
6
6
—
ns
ns
ns
1, 2
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| HB52E169E12 | 128 MB Registered SDRAM DIMM(128 MB 寄存同步DRAM DIMM) |
| HB52E648EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E649EN | 512 MB Unbuffered SDRAM DIMM(512 MB 未緩沖同步DRAM DIMM) |
| HB52E649E12 | THERMISTOR, NTC; Series:B575; Thermistor type:NTC; Resistance:10kR; Tolerance, resistance:+/-1%; Beta value:3450; Temperature, lower limit, beta value:0(degree C); Temperature, upper limit, beta value:100(degree C); Temp, op. RoHS Compliant: Yes |
| HB52E649E12-A6B | 512 MB Registered SDRAM DIMM 64-Mword 】 72-bit, 100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (18 pcs of 64 M 】 4 Components) PC100 SDRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| HB52E89EM-B6 | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x72 SDRAM Module |
| HB52F168GB-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F168GB-75BL | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
| HB52F168GB-B | 制造商:ELPIDA 制造商全稱(chēng):Elpida Memory 功能描述:128 MB Unbuffered SDRAM Micro DIMM 16-Mword × 64-bit, 133/100 MHz Memory Bus, 1-Bank Module (4 pcs of 16 M × 16 components) PC133/100 SDRAM |
| HB52F328DC-75B | 制造商:未知廠家 制造商全稱(chēng):未知廠家 功能描述:x64 SDRAM Module |
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