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參數(shù)資料
| 型號： | V62C5181024LL-70P |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | ECONOLINE: RY & RX - Controllable Output- 1kVDC Isolation- No Heatsink Required- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- No External Components- Fully Encapsulated- Efficiency to 70% |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 33/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 1155K |
| 代理商： | V62C5181024LL-70P |
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CMOS SDRAM
K4S643232C
REV. 1.1 Nov. '99
- 33
Read & Write Cycle with Auto Precharge I @Burst Length=4
HIGH
Row Active
(A-Bank)
1.
t
RCD
should be controlled to meet minimum
t
RAS
before internal precharge start.
(In the case of Burst Length=1 & 2, BRSW mode and Block write)
Row Active
(B-Bank)
Read with
Auto Precharge
(A-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(B-Bank)
Auto Precharge
Start Point
(A-Bank)
Write with
Auto Precharge
(B-Bank)
ADDR
CAS
RAS
CS
CKE
CLOCK
WE
DQM
RAa
RBb
CAa
RBb
CBb
*Note :
: Don
′
t care
(CL=2)
(CL=3)
DQ
DQ
RAa
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
QAa0
QAa1
QAa2
QAa3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
DBb0
DBb1
DBb2
DBb3
BA
0
A
10
/AP
BA
1
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PDF描述 |
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