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參數(shù)資料
| 型號： | V62C5181024LL-70P |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | ECONOLINE: RY & RX - Controllable Output- 1kVDC Isolation- No Heatsink Required- UL94V-0 Package Material- Toroidal Magnetics- No External Components- Fully Encapsulated- Efficiency to 70% |
| 中文描述： | 200萬× 32內(nèi)存為512k × 32 × 4銀行同步DRAM LVTTL |
| 文件頁數(shù)： | 26/43頁 |
| 文件大?。?/td> | 1155K |
| 代理商： | V62C5181024LL-70P |
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0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19
CMOS SDRAM
K4S643232C
REV. 1.1 Nov. '99
- 26
*Note :
1. All input expect CKE & DQM can be don't care when CS is high at the CLK high going edge.
2. Bank active & read/write are controlled by BA0~BA1.
3. Enable and disable auto precharge function are controlled by A10/AP in read/write command
BA0
0
0
1
1
0
0
1
1
Operation
Disable auto precharge, leave bank A active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank B active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank C active at end of burst.
Disable auto precharge, leave bank D active at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank A at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank B at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank C at end of burst.
Enable auto precharge, precharge bank D at end of burst.
4. A10/AP and BA0~BA1 control bank precharge when precharge command is asserted.
A10/AP
0
1
BA1
0
1
0
1
0
1
0
1
BA0
0
0
1
1
Active & Read/Write
Bank A
Bank B
Bank C
Bank D
BA1
0
1
0
1
BA0
0
0
1
1
x
Precharge
Bank A
Bank B
Bank C
Bank D
All Banks
A10/AP
0
0
0
0
1
BA1
0
0
1
1
x
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| V62C518256L-35F | 32K X 8 STATIC RAM |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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| V62C5181024LL-70T | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
| V62C5181024LL-70TI | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
| V62C5181024LL70W | 制造商:MOST 功能描述: |
| V62C5181024LL-70W | 制造商:MOSEL 制造商全稱:MOSEL 功能描述:128K X 8 STATIC RAM |
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