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參數(shù)資料
| 型號： | S71PL191HB0BFI100 |
| 廠商： | SPANSION LLC |
| 元件分類： | 存儲器 |
| 英文描述： | SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73 |
| 封裝： | 9 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-73 |
| 文件頁數(shù)： | 72/172頁 |
| 文件大小： | 4662K |
| 代理商： | S71PL191HB0BFI100 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁當(dāng)前第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁第130頁第131頁第132頁第133頁第134頁第135頁第136頁第137頁第138頁第139頁第140頁第141頁第142頁第143頁第144頁第145頁第146頁第147頁第148頁第149頁第150頁第151頁第152頁第153頁第154頁第155頁第156頁第157頁第158頁第159頁第160頁第161頁第162頁第163頁第164頁第165頁第166頁第167頁第168頁第169頁第170頁第171頁第172頁
March 10, 2004 S71PL191_193Hx0_00A1
64 Mb pSRAM (Supplier 1)
69
Ad va nc e
Inform ati o n
64 Mb pSRAM (Supplier 1)
64 Megabit CMOS Pseudo Static SRAM
Features
Organized as 4,194,304 words by 16 bits
Single power supply voltage of 2.6 to 3.3 V
Direct TTL compatibility for all inputs and outputs
Deep power-down mode: Memory cell data invalid
Page operation mode:
— Page read operation by 8 words
Logic compatible with SRAM R/W (WE#) pin
Standby current
— Standby
100 A
— Deep power-down standby
5 A
Access Times:
— Access Time
70 ns
— CE1# Access Time
70 ns
— OE# Access Time
25 ns
— Page Access Time
30 ns
Description
The S71PLxxxHx0 contains a 67,108,864-bit, pseudo static random access mem-
ory (PSRAM) organized as 4,194,304 words by 16 bits. It provides high density,
high speed, and low power. The device operates on a single power supply. The
device also features SRAM-like W/R timing whereby the device is controlled by
CE1#, OE#, and WE# on asynchronous. The device has the page access opera-
tion. Page size is 8 words. The device also supports deep power-down mode,
realizing low-power standby.
Pin Description
A0 to A21
=
Address Inputs
A0 to A2
=
Page Address Inputs
I/O1 to I/O16
=
Data Inputs/Outputs
CE1#
=
Chip Enable Input
CE2
=
Chip select Input
WE#
=
Write Enable Input
OE#
=
Output Enable Input
LB#, UB#
=
Data Byte Control Inputs
VDD
=Power
GND
=
Ground
NC
=
No Connection
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