參數(shù)資料
型號(hào)： S71PL191HB0BFI100
廠商： SPANSION LLC
元件分類(lèi)： 存儲(chǔ)器
英文描述： SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA73
封裝： 9 X 13 MM, LEAD FREE, FBGA-73
文件頁(yè)數(shù)： 168/172頁(yè)
文件大?。?/td> 4662K
代理商： S71PL191HB0BFI100
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May 7, 2004 S29PL127H_129H_00A1
S29PL127H/S29PL129H
79
Pre l i m i n a r y
ERASE AND PROGRAMMING PERFORMANCE
Notes:
1. Typical program and erase times assume the following conditions: 25°C, VCC = 3.0 V; 100,000 cycles; checkerboard data
pattern. All values are subject to change.
2. Under worst case conditions of 90°C, VCC = 2.7 V; 1,000,000 cycles. All values are subject to change.
3. The typical chip programming time is considerably less than the maximum chip programming time listed, since most bytes
program faster than the maximum program times listed.
4. In the pre-programming step of the Embedded Erase algorithm, all bytes are programmed to 00h before erasure.
5. System-level overhead is the time required to execute the two- or four-bus-cycle sequence for the program command. See
Table 16 for further information on command definitions.
6. The device has a minimum cycling endurance of 100,000 cycles.
BGA Pin Capacitance
Notes:
1. Sampled, not 100% tested.
2. Test conditions TA = 25°C, f = 1.0 MHz.
Parameter
Unit
Comments
Sector Erase Time
0.4
5
sec
Excludes 00h programming
prior to erasure (Note 4)
Chip Erase Time
108
sec
Word Program Time
7
210
s
Excludes system level
overhead (Note 5)
Accelerated Word Program Time
4
120
s
Chip Program Time (Note 3)
50
200
sec
Parameter Symbol
Parameter Description
Test Setup
Typ
Max
Unit
CIN
Input Capacitance
VIN = 0
4.2
5.0
pF
COUT
Output Capacitance
VOUT = 0
5.4
6.5
pF
CIN2
Control Pin Capacitance
VIN = 0
3.9
4.7
pF
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PDF描述
S71VS128RC0ZHK203 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
S71VS128RC0ZHK2L2 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA56
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S72NS512PE0AHGL02 SPECIALTY MEMORY CIRCUIT, PBGA133
S7911 PIN PHOTO DIODE
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S71PL254J04BAW0Z3 制造商:SPANSION 制造商全稱(chēng):SPANSION 功能描述:Based MCPs
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