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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H64M16HR-3IT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 65/129頁 |
| 文件大?。?/td> | 9252K |
| 代理商： | MT47H64M16HR-3IT |
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Input Electrical Characteristics and Operating Conditions
Table 14: Input DC Logic Levels
All voltages are referenced to VSS
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Input high (logic 1) voltage
VIH(DC)
VREF(DC) + 125
VDDQ1
mV
Input low (logic 0) voltage
VIL(DC)
–300
VREF(DC) - 125
mV
Note: 1. VDDQ + 300mV allowed provided 1.9V is not exceeded.
Table 15: Input AC Logic Levels
All voltages are referenced to VSS
Parameter
Symbol
Min
Max
Units
Input high (logic 1) voltage (-37E/-5E)
VIH(AC)
VREF(DC) + 250
mV
Input high (logic 1) voltage (-187E/-25E/-25/-3E/-3)
VIH(AC)
VREF(DC) + 200
mV
Input low (logic 0) voltage (-37E/-5E)
VIL(AC)
–300
VREF(DC) - 250
mV
Input low (logic 0) voltage (-187E/-25E/-25/-3E/-3)
VIL(AC)
–300
VREF(DC) - 200
mV
Note: 1. Refer to AC Overshoot/Undershoot Specification (page 50).
Figure 12: Single-Ended Input Signal Levels
650mV
775mV
864mV
882mV
900mV
918mV
936mV
1,025mV
1,150mV
VIL(AC)
VIL(DC)
VREF - AC noise
VREF - DC error
VREF + DC error
VREF + AC noise
VIH(DC)
VIH(AC)
Note: 1. Numbers in diagram reflect nominal DDR2-400/DDR2-533 values.
1Gb: x4, x8, x16 1.55V DDR2 SDRAM
Input Electrical Characteristics and Operating Conditions
PDF: 09005aef82b91d01
1GbDDR2_1_55V.PDF Rev. A 5/09 EN
40
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32TG-10 | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48V8M16LFB4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32LFB5-10ES:G | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| MT48V4M32TG-8XT | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HR-3L | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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