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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT47H64M16HR-3IT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 11/129頁 |
| 文件大?。?/td> | 9252K |
| 代理商： | MT47H64M16HR-3IT |
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Figure 65: WRITE – DM Operation
CK
CK#
CKE
A10
Bank select
tCK
tCH tCL
RA
tRCD
tRAS
tRPA
tWR5
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T7n
T6
T7
T8
T6n
NOP1
Command
3
ACT
RA
Col n
WRITE2
NOP1
One bank
All banks
Bank x
NOP1
tDQSL tDQSH tWPST
Bank x4
DQ7
DM
Don’t Care
Transitioning Data
WL ±tDQSS (NOM)
tWPRE
PRE
DQS, DQS#
Address
T9
T10
T11
AL = 1
WL = 2
DI
n
6
Notes: 1. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at
these times.
2. BL = 4, AL = 1, and WL = 2 in the case shown.
3. Disable auto precharge.
4.
“Don’t Care” if A10 is HIGH at T11.
5. tWR starts at the end of the data burst regardless of the data mask condition.
6. Subsequent rising DQS signals must align to the clock within tDQSS.
7. DI n = data-in for column n; subsequent elements are applied in the programmed order.
8. tDSH is applicable during tDQSS (MIN) and is referenced from CK T6 or T7.
9. tDSS is applicable during tDQSS (MAX) and is referenced from CK T7 or T8.
1Gb: x4, x8, x16 1.55V DDR2 SDRAM
WRITE
PDF: 09005aef82b91d01
1GbDDR2_1_55V.PDF Rev. A 5/09 EN
108
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32TG-10 | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
| MT48V8M16LFB4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32LFB5-10ES:G | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
| MT48V4M32TG-8XT | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PDSO54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HR-3L | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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