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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT47H64M16HR-3IT |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA84 |
| 封裝： | 8 X 12.50 MM, ROHS COMPLIANT, FBGA-84 |
| 文件頁數(shù)： | 123/129頁 |
| 文件大小： | 9252K |
| 代理商： | MT47H64M16HR-3IT |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁當(dāng)前第123頁第124頁第125頁第126頁第127頁第128頁第129頁
not be issued until tRP is met. However, part of the row precharge time is hidden during
the access of the last data elements.
for BL = 8. The delay from READ-to-PRECHARGE period to the same bank is AL + BL/
2 - 2CK + MAX (tRTP/tCK or 2 × CK) where MAX means the larger of the two.
Figure 50: READ-to-PRECHARGE – BL = 4
CK
CK#
T0
T1
T2
Don’t Care
Transitioning Data
T3
T4
T5
T6
T7
Address
Bank a
≥t
RAS (MIN)
≥t
RTP (MIN)
≥t
RP (MIN)
AL + BL/2 - 2CK + MAX (tRTP/tCK or 2CK)
Command
READ
NOP
PRE
ACT
NOP
4-bit
prefetch
DQ
DO
A10
Valid
CL = 3
AL = 1
DQS, DQS#
≥t
RC (MIN)
Notes: 1. RL = 4 (AL = 1, CL = 3); BL = 4.
2. tRTP
≥ 2 clocks.
3. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
Figure 51: READ-to-PRECHARGE – BL = 8
CK
CK#
T0
T1
T2
Don’t Care
Transitioning Data
T3
T4
T5
T6
T7
T8
CL = 3
AL = 1
DQS, DQS#
First 4-bit
prefetch
Second 4-bit
prefetch
≥
tRTP (MIN)
≥
tRP (MIN)
Address
Bank a
≥
tRC (MIN)
≥
tRAS (MIN)
A10
Valid
AL + BL/2 - 2CK + MAX (tRTP/tCK or 2CK)
DQ
DO
Command
READ
NOP
ACT
PRE
Notes: 1. RL = 4 (AL = 1, CL = 3); BL = 8.
2. tRTP
≥ 2 clocks.
3. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
1Gb: x4, x8, x16 1.55V DDR2 SDRAM
READ
PDF: 09005aef82b91d01
1GbDDR2_1_55V.PDF Rev. A 5/09 EN
93
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48H8M16LFB4-8IT:JTR | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 6 ns, PBGA54 |
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| MT48V8M16LFB4-8XT | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC4M32LFB5-10ES:G | 4M X 32 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA90 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HR-3L | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DDR2 SDRAM |
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