- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄299522 > MT47H32M16BT-37VL:A 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA92 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | MT47H32M16BT-37VL:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA92 |
| 封裝： | 11 X 19 MM, LEAD FREE, FBGA-92 |
| 文件頁數(shù)： | 84/126頁 |
| 文件大?。?/td> | 7045K |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁當(dāng)前第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁第107頁第108頁第109頁第110頁第111頁第112頁第113頁第114頁第115頁第116頁第117頁第118頁第119頁第120頁第121頁第122頁第123頁第124頁第125頁第126頁
pdf: 09005aef8117c18e, source: 09005aef8117c192
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
512MbDDR2_2.fm - Rev. H 7/05 EN
60
2004, 2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
WRITEs
Figure 41:
Bank Write with Auto Precharge
Notes: 1. DI n = data-in from column n; subsequent elements are applied in the programmed order.
2. Burst length = 4, AL = 0, and WL = 2 shown.
3. Enable auto precharge.
4. ACT = ACTIVE, RA = row address, BA = bank address.
5. NOP commands are shown for ease of illustration; other commands may be valid at these
times.
6. tDSH is applicable during tDQSS (MIN) and is referenced from CK T5 or T6.
7. tDSS is applicable during tDQSS (MAX) and is referenced from CK T6 or T7.
8. WR is programmed via MR[11, 10, 9] and is calculated by dividing tWR (in ns) by tCK and
rounding up to the next integer value.
9. Subsequent rising DQS signals must align to the clock within tDQSS.
CK
CK#
CKE
A10
BA0, BA1
tCK
tCH
tCL
RA
tRCD
tRAS
tRP
WR8
T0
T1
T2
T3
T4
T5
T5n
T6
T7
T8
T6n
NOP5
COMMAND4
3
ACT
RA
Col n
WRITE2
NOP5
Bank x
NOP5
Bank x
NOP5
tDQSL tDQSH tWPST
DQ1
DM
WL ± tDQSS (NOM)
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
tWPRE
DQS,DQS#
ADDRESS
T9
NOP5
WL = 2
DI
n
9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT47H64M16HQ-3IT:G | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M8CF-5EAT:F | DDR DRAM, PBGA60 |
| MT48H16M16LFBF-10IT | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
| MT48LC8M16A2BB-6ALIT:G | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PBGA60 |
| MT49H8M36HU-33 | 8M X 36 DDR DRAM, 0.3 ns, PBGA144 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H32M16CC-37E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。