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參數(shù)資料
| 型號： | MT47H32M16BT-37VL:A |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA92 |
| 封裝： | 11 X 19 MM, LEAD FREE, FBGA-92 |
| 文件頁數(shù)： | 77/126頁 |
| 文件大?。?/td> | 7045K |
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pdf: 09005aef8117c18e, source: 09005aef8117c192
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54
2004, 2005 Micron Technology, Inc. All rights reserved.
512Mb: x4, x8, x16 DDR2 SDRAM
WRITEs
Figure 33:
WRITE Burst
Notes: 1. DI b = data-in for column b.
2. Three subsequent elements of data-in are applied in the programmed order following
DI b.
3. Shown with BL = 4, AL = 0, CL = 3; thus, WL = 2.
4. A10 is LOW with the WRITE command (auto precharge is disabled).
5. Subsequent rising DQS signals must align to the clock within tDQSS.
DQS, DQS#
tDQSS (MAX)
tDQSS (NOM)
tDQSS (MIN)
WL ± tDQSS
DM
DQ
CK
CK#
COMMAND
WRITE
NOP
ADDRESS
Bank a,
Col b
NOP
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T3n
DQS, DQS#
WL + tDQSS
5
DM
DQ
DQS, DQS#
WL - tDQSS
DM
DQ
DI
b
DI
b
DI
b
DON’T CARE
TRANSITIONING DATA
tDQSS
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT47H32M16CC-37E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述: |
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