參數(shù)資料
型號(hào)： MT46V128M4FN-75E:C
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60
封裝： 10 X 12.50 MM, FBGA-60
文件頁(yè)數(shù)： 64/94頁(yè)
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09005aef80a1d9e7
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512MBDDRx4x8x16_2.fm - Rev. J 1/06 EN
67
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512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
Electrical Specifications
Write recovery time
tWR
15
ns
Internal WRITE-to-READ command delay
tWTR
1
tCK
Data valid output window (DVW)
N/A
tQH - tDQSQ tQH - tDQSQ
tQH - tDQSQ
ns
REFRESH-to-REFRESH command interval
tREFC
70.3
s
Average periodic refresh interval
tREFI
7.8
s
Terminating voltage delay to VDD
tVTD
0
ns
Exit SELF REFRESH-to-non-READ command
tXSNR
75
ns
Exit SELF REFRESH-to-READ command
tXSRD
200
tCK
Table 27:
Electrical Characteristics and Recommended AC Operating Conditions (-6/-6T/-75E)
Notes: 1–5, 14–17, 33; notes appear on page 71–76; 0°C
≤ T
A ≤ +70°C; VDDQ = +2.5V ±0.2V, VDD = +2.5V ±0.2V
AC Characteristics
-6 (FBGA)
-6T (TSOP)
-75E
Units Notes
Parameter
Symbol
Min
Max
Min
Max
Min
Max
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MT46V128M4P-75L:C 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
MT46V128M4P-75ZLIT:C 128M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
MT46V64M4TG-75E 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PDSO66
MT46V64M4FG-75Z 64M X 4 DDR DRAM, 0.75 ns, PBGA60
MT47H128M8HQ-3AT 128M X 8 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60
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