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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46HC32M16LFCX-75:B |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 7.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 9 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 74/98頁(yè) |
| 文件大?。?/td> | 3258K |
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Figure 38: Random WRITE Cycles
tDQSS (NOM)
CK
CK#
Command
WRITE1,2
NOP
Address
Bank,
Col b
Bank,
Col x
Bank,
Col n
Bank,
Col g
Bank,
Col a
T0
T1
T2
T3
T2n
T4
T5
T4n
T1n
T3n
T5n
DQ3,4
DQS
DM
Don’t Care
Transitioning Data
DIN
WRITE1,2
DIN
Notes: 1. Each WRITE command can be to any bank.
2. Programmed BL = 2, 4, 8, or 16 in cases shown.
3. DINb (or x, n, a, g) = data-in for column b (or x, n, q, g).
4. b' (or x, n, a, g) = the next data-in following DINb (x, n, a, g) according to the program-
med burst order.
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
WRITE Operation
PDF: 09005aef82d5d305
512mb_ddr_mobile_sdram_t47m.pdf – Rev. I 12/09 EN
76
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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| MT48H16M16LFBF-10IT | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
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參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V128M4 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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