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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MT46HC32M16LFCX-75:B |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | 32M X 16 DDR DRAM, 7.5 ns, PBGA90 |
| 封裝： | 9 X 13 MM, GREEN, PLASTIC, VFBGA-90 |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 59/98頁(yè) |
| 文件大小： | 3258K |
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Figure 24: Consecutive READ Bursts
CK
CK#
CK
CK#
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T0
T1
T2
T3
T2n
T3n
T4
T5
T1n
T4n
T5n
T5
T4n
T5n
Command
READ
NOP
READ
NOP
Address
Bank,
Col n
Bank,
Col b
Command
READ
NOP
READ
NOP
Address
Bank,
Col n
Bank,
Col b
Don’t Care
Transitioning Data
DQ
DQS
CL = 2
DQ
DQS
CL = 3
DOUT1
DOUT
Notes: 1. DOUTn (or b) = data-out from column n (or column b).
2. BL = 4, 8, or 16 (if 4, the bursts are concatenated; if 8 or 16, the second burst interrupts
the first).
3. Shown with nominal tAC, tDQSCK, and tDQSQ.
4. Example applies only when READ commands are issued to same device.
512Mb: x16, x32 Mobile LPDDR SDRAM
READ Operation
PDF: 09005aef82d5d305
512mb_ddr_mobile_sdram_t47m.pdf – Rev. I 12/09 EN
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相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT46HC32M16LGCM-54IT:B | 32M X 16 DDR DRAM, 5.4 ns, PBGA90 |
| MT47H32M16BT-37VL:A | 32M X 16 DDR DRAM, 0.5 ns, PBGA92 |
| MT47H64M16HQ-3IT:G | 64M X 16 DDR DRAM, 0.4 ns, PBGA60 |
| MT47H64M8CF-5EAT:F | DDR DRAM, PBGA60 |
| MT48H16M16LFBF-10IT | 16M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V128M4 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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