參數(shù)資料
型號： M58WR064EBZB
廠商： 意法半導(dǎo)體
英文描述： 64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
中文描述： 64兆位4Mb的× 16，多銀行，突發(fā)1.8V電源快閃記憶體
文件頁數(shù)： 82/82頁
文件大小： 1100K
代理商： M58WR064EBZB
9/82
Figure 4. Memory Map
AI06971b
M58WR064ET - Top Boot Block
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8 Main
Blocks
Bank 15
M58WR064EB - Bottom Boot Block
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Parameter
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Bank 3
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Bank 15
Bank 3
Bank 2
Bank 1
8 Main
Blocks
8 Main
Blocks
8 Main
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Blocks
8 Parameter
Blocks
7 Main
Blocks
8 Main
Blocks
8 Main
Blocks
8 Main
Blocks
8 Main
Blocks
相關(guān)PDF資料
PDF描述
M58WR128EBZB 128 Mbit 8Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M5913 COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER
M5913B1 COMBINED SINGLE CHIP PCM CODEC AND FILTER
M5F78M05 5 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3
M5F78M06 6 V FIXED POSITIVE REGULATOR, PSFM3
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
M58WR064ET 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET10ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ET70ZB6T 功能描述:閃存 64M (4Mx16) 70ns RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲類型:Flash 存儲容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時類型: 接口類型:SPI 訪問時間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
M58WR064ET80ZB6T 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
M58WR064ETZB 制造商:STMICROELECTRONICS 制造商全稱:STMicroelectronics 功能描述:64 Mbit 4Mb x 16, Multiple Bank, Burst 1.8V Supply Flash Memory
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