參數(shù)資料
型號: K9F4G08U0M
廠商: SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述: 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
中文描述: 512M x 8位/ 1克× 8位NAND閃存
文件頁數(shù): 26/41頁
文件大?。?/td> 1076K
代理商: K9F4G08U0M
FLASH MEMORY
26
Advance
K9F4G08U0M
K9K8G08U1M
BLOCK ERASE OPERATION
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
60h
Erase Command
Read Status
Command
I/O
0
=1 Error in Erase
D0h
70h
I/O 0
Busy
t
WB
t
BERS
I/O
0
=0 Successful Erase
Row Address
t
WC
Auto Block Erase
Setup Command
I/Ox
Row Add1
Row Add2 Row Add3
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K9K8G08U1M 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory
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參數(shù)描述
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