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參數(shù)資料
| 型號： | K9F4G08U0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 512M x 8位/ 1克× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 23/41頁 |
| 文件大小： | 1076K |
| 代理商： | K9F4G08U0M |
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FLASH MEMORY
23
Advance
K9F4G08U0M
K9K8G08U1M
Page Program Operation
CE
CLE
R/B
WE
ALE
RE
80h
70h
I/O
0
Din
N
1 up to m Byte
Serial Input
Din
M
10h
SerialData
Input Command
Column Address
Row Address
Program
Command
Read Status
Command
I/O
0
=0 Successful Program
I/O
0
=1 Error in Program
t
PROG
t
WB
t
WC
t
WC
t
WC
≈
≈
≈
I/Ox
Co.l Add1
Col. Add2
Row Add1
Row Add2 Row Add3
NOTES :
tADL is the time from the WE rising edge of final address cycle to the WE rising edge of first data cycle.
t
ADL
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K8G08U1M | 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F5608Q0C | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-D | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-H | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F4G08U0M-PCB0 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9F4G08U0M-PCB0000 | 制造商:Samsung 功能描述:4GB SLC NORMAL X8 TSOP1 - Trays |
| K9F4G08U0M-PCB0T00 | 制造商:Samsung 功能描述:4GB SLC NORMAL X8 TSOP1 - Trays |
| K9F5608D0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608D0C-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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