- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄374297 > K9F4G08U0M (SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.) 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | K9F4G08U0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 512M x 8位/ 1克× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 20/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 1076K |
| 代理商： | K9F4G08U0M |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁當前第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁
FLASH MEMORY
20
Advance
K9F4G08U0M
K9K8G08U1M
Status Read Cycle & EDC Status Read Cycle
CE
WE
CLE
RE
70h or 7Bh
Status Output
t
CLR
t
CLH
t
WP
t
CH
t
DS
t
DH
t
REA
t
IR
t
RHOH
t
COH
t
WHR
t
CEA
t
CLS
I/Ox
t
CHZ
t
RHZ
t
CS
RE
CE
R/B
I/Ox
≈
t
RR
t
CEA
t
REA
t
RP
t
REH
t
RC
≈
t
RHZ
t
RHOH
t
CHZ
t
COH
Serial Access Cycle after Read
(EDO Type, CLE=L, WE=H, ALE=L)
t
RLOH
≈
≈
Dout
Dout
t
REA
≈
NOTES :
Transition is measured
±
200mV from steady state voltage with load.
This parameter is sampled and not 100% tested.
tRLOH is valid when frequency is higher than 33MHz.
tRHOH starts to be valid when frequency is lower than 33MHz.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K8G08U1M | 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F5608Q0C | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-D | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-H | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F4G08U0M-PCB0 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9F4G08U0M-PCB0000 | 制造商:Samsung 功能描述:4GB SLC NORMAL X8 TSOP1 - Trays |
| K9F4G08U0M-PCB0T00 | 制造商:Samsung 功能描述:4GB SLC NORMAL X8 TSOP1 - Trays |
| K9F5608D0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608D0C-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復。