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參數(shù)資料
| 型號： | K9F4G08U0M |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory |
| 中文描述： | 512M x 8位/ 1克× 8位NAND閃存 |
| 文件頁數(shù)： | 11/41頁 |
| 文件大?。?/td> | 1076K |
| 代理商： | K9F4G08U0M |
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FLASH MEMORY
11
Advance
K9F4G08U0M
K9K8G08U1M
AC Timing Characteristics for Command / Address / Data Input
NOTES :
1. The transition of the corresponding control pins must occur only once while WE is held low
2. tADL is the time from the WE rising edge of final address cycle to the WE rising edge of first data cycle
Parameter
Symbol
Min
Max
Unit
CLE Setup Time
t
CLS
(1)
12
-
ns
CLE Hold Time
t
CLH
5
-
ns
CE Setup Time
t
CS
(1)
20
-
ns
CE Hold Time
t
CH
5
-
ns
WE Pulse Width
t
WP
12
-
ns
ALE Setup Time
t
ALS
(1)
12
-
ns
ALE Hold Time
t
ALH
5
-
ns
Data Setup Time
t
DS
(1)
12
-
ns
Data Hold Time
t
DH
5
-
ns
Write Cycle Time
t
WC
25
-
ns
WE High Hold Time
t
WH
10
-
ns
ALE to Data Loading Time
t
ADL
(2)
70
-
ns
Program / Erase Characteristics
NOTE
: 1. Typical value is measured at Vcc=3.3V, T
A
=25
°
C. Not 100% tested.
2. Typical program time is defined as the time that more than 50% of the whole pages are programmed at Vcc of 3.3V and temperature of 25
°
C
within.
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Program Time
t
PROG
(2)
-
200
700
μ
s
Dummy Busy Time for Two-Plane Page Program
t
DBSY
-
0.5
1
μ
s
Number of Partial Program Cycles
in the Same Page
Main Array
Nop
-
-
4
cycles
Spare Array
-
-
4
cycles
Block Erase Time
t
BERS
-
1.5
2
ms
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K9K8G08U1M | 512M x 8 Bits / 1G x 8 Bits NAND Flash Memory |
| K9F5608Q0C | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-D | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608Q0C-H | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
| K9F5608U0C | 512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K9F4G08U0M-PCB0 | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
| K9F4G08U0M-PCB0000 | 制造商:Samsung 功能描述:4GB SLC NORMAL X8 TSOP1 - Trays |
| K9F4G08U0M-PCB0T00 | 制造商:Samsung 功能描述:4GB SLC NORMAL X8 TSOP1 - Trays |
| K9F5608D0C | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
| K9F5608D0C-D | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:32M x 8 Bit , 16M x 16 Bit NAND Flash Memory |
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