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參數(shù)資料
| 型號： | K4N56163QF |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 64/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF |
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Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Asynchronous CKE Low Event
DRAM requires CKE to be maintained “HIGH” for all valid operations as defined in this data sheet. If CKE asynchronously
drops “LOW” during any valid operation DRAM is not guaranteed to preserve the contents of array. If this event occurs,
memory controller must satisfy DRAM timing specification tDelay before turning off the clocks. Stable clocks must exist at
the input of DRAM before CKE is raised “HIGH” again. DRAM must be fully re-initialized (steps 4 thru 13) as described in
initialization sequence. DRAM is ready for normal operation after the initialization sequence. See AC timing parametric
table for tDelay specification
tCK
CK
CK#
tDelay
CKE
CKE asynchronously drops low
Clocks can be turned
off after this point
Stable clocks
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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