參數(shù)資料
型號： K4N56163QF
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 63/73頁
文件大?。?/td> 1262K
代理商： K4N56163QF
- 63 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
CMD
CKE
CMD
CKE
T0
T3
T5
T6
T7
T8
T9
T1
T2
T4
T10
CMD
CKE
CMD
CKE
CKE can go to low one clock after an Active command
PR or
PRA
MRS or
EMRS
REF
ACT
tMRD
Refresh command to power down entry
Active command to power down entry
Precharge/Precharge all command to power down entry
MRS/EMRS command to power down entry
CK
CK
CKE can go to low one clock after a Precharge or Precharge all command
CKE can go to low one clock after an Auto-refresh command
T11
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N56163QF-GC 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC25 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4PE68A Transient Voltage Suppressor Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N56163QF-GC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QG-ZC2A 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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