參數(shù)資料
型號： K4N56163QF
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR2 SDRAM的
文件頁數(shù)： 33/73頁
文件大?。?/td> 1262K
代理商： K4N56163QF
- 33 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
ODT timing mode switch at entering power down mode
T-5
T-4
T-3
T-2
T-1
T0
CK
CK
T1
CKE
ODT
Internal
Term Res.
tIS
tAOFD
RTT
tIS
RTT
T2
T3
T4
ODT
Internal
Term Res.
Active & Standby
mode timings to
be applied.
Power Down
mode timings to
be applied.
tAOFPDmax
tIS
ODT
Internal
Term Res.
tIS
tAOND
RTT
tIS
RTT
ODT
Internal
Term Res.
Active & Standby
mode timings to
be applied.
Power Down
mode timings to
be applied.
tAONPDmax
tANPD
Entering Slow Exit Active Power Down Mode
or Precharge Power Down Mode.
V
IL
(AC)
V
IL
(AC)
V
IH
(AC)
V
IH
(AC)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N56163QF-GC 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC25 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4PE68A Transient Voltage Suppressor Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N56163QF-GC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QG-ZC2A 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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