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參數(shù)資料
| 型號： | K4N56163QF |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 44/73頁 |
| 文件大小： | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF |
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- 44 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Burst Write Operation: RL = 3, WL = 2, tWR = 2 (AL=0, CL=3), BL = 4
Burst Write followed by Burst Read: RL = 5 (AL=2, CL=3), WL = 4, tWTR = 2, BL = 4
The minimum number of clock from the burst write command to the burst read command is [CL - 1 + BL/2 + tWTR]. This
tWTR is not a write recovery time (tWR) but the time required to transfer the 4bit write data from the input buffer into sense
amplifiers in the array. tWTR is defined in AC spec table of this data sheet.
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
Precharge
NOP
DQs
NOP
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
Tn
WRITE A
CAS
WL = RL - 1 = 2
DQS
< = t
DQSS
> = WR
DIN A
0
DIN A
1
DIN A
2
DIN A
3
Bank A
Activate
Completion of
the Burst Write
> = tRP
CMD
NOP
NOP
NOP
NOP
DQ
CK/CK
T0
T2
T1
T3
T4
T5
T6
T7
T8
DOUT A
0
DOUT A
1
DOUT A
2
DOUT A
3
NOP
DQS
DIN
WL = RL - 1 = 4
Post CAS
READ A
NOP
RL =5
AL = 2
CL = 3
NOP
NOP
Write to Read = CL - 1 + BL/2 + tWTR
> = tWTR
T9
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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