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參數(shù)資料
| 型號： | K4N56163QF |
| 廠商： | SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD. |
| 英文描述： | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| 中文描述： | 片256Mbit GDDR2 SDRAM的 |
| 文件頁數(shù)： | 2/73頁 |
| 文件大?。?/td> | 1262K |
| 代理商： | K4N56163QF |
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Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
Revision History
Revision 1.6 (April 14, 2005)
Modified Power-up and Initialization Sequence on page 22.
Revision 1.5 (March 04, 2005)
Removed K4N56163QF-GC20/22 from the datasheet
Revision 1.4 (February 5, 2005)
Added Lead-Free part number in the datasheet.
Revision 1.3 (January 5, 2005)
Typo corrected
Revision 1.2 (December 28, 2004)
Changed the DC characteristics table
Added 50 ohm at the EMRS(1) programming table.
Revision 1.1 (December 1, 2004)
Changed ICC2P and ICC6 to 10mA
Revision 1.0 (October 20, 2004)
DC spec defined.
Changed VDD&VDDQ of K4N56163QF-GC20/22 from 1.8V+0.1V to 2.0V+0.1V
Revision 0.0 (April 29, 2004)
- Target Spec
Defined Target Specification
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC25 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4PE68A | Transient Voltage Suppressor Diodes |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| K4N56163QF-GC | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC25 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC30 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QF-GC37 | 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM |
| K4N56163QG-ZC2A | 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述: |
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