參數(shù)資料
型號(hào)： K4N56163QF
廠商： SAMSUNG SEMICONDUCTOR CO. LTD.
英文描述： 256Mbit gDDR2 SDRAM
中文描述： 片256Mbit GDDR2 SDRAM的
文件頁(yè)數(shù)： 20/73頁(yè)
文件大小： 1262K
代理商： K4N56163QF
- 20 -
Rev 1.6 (Apr. 2005)
256M gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC
gDDR2 SDRAM
Device Operation & Timing Diagram
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4N56163QF-GC 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC25 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 256Mbit gDDR2 SDRAM
K4PE68A Transient Voltage Suppressor Diodes
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4N56163QF-GC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC25 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC30 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QF-GC37 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:256Mbit gDDR2 SDRAM
K4N56163QG-ZC2A 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:
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