參數(shù)資料
型號(hào)： K4J52324KI-HC1A0
元件分類(lèi)： DRAM
英文描述： 512M X 1 DDR DRAM, 0.2 ns, PBGA136
封裝： HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, FBGA-136
文件頁(yè)數(shù)： 14/61頁(yè)
文件大?。?/td> 1364K
代理商： K4J52324KI-HC1A0
- 21 -
K4J52324KI
datasheet
GDDR3 SGRAM
Rev. 1.2
[ Table 5 ] Scan Dc Electrical Characteristics And Operating Conditions
NOTE : 1. The parameter applies only when SEN is asserted.
2. All voltages referenced to GND.
Figure 4. Scan Capture Timing
Figure 5. Scan Shift Timing
PARAMETER/CONDITON
SYMBOL
MIN
MAX
UNITS
NOTE
Input High (Logic 1) Voltage
VIH(DC)
VREF+0.15
-
V
1,2
Input Low (Logic 0) Voltage
VIL(DC)
-
VREF-0.15
V
1,2
tSES
tSCS
tSDS tSDH
VALID
LOW
SCK
SEN
SSH
SOE
Pins
under Test
Not a true clock, but a single pulse or series of pulses
DON’T CARE
SCK
SEN
SSH
SOE
SOUT
tSES
tSCS
Scan Out
bit 0
Scan Out
bit 1
Scan Out
bit 2
Scan Out
bit 3
tSAC
tSOH
TRANSITIONING DATA
相關(guān)PDF資料
PDF描述
K4M64163PK-BE900 4M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 7 ns, PBGA54
K507 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K001 2 ELEMENT, 2000 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K004 2 ELEMENT, 500 uH, GENERAL PURPOSE INDUCTOR
K5A22NAU KEYPAD SWITCH, SPST, MOMENTARY, 0.1A, 50VDC, 2 N, SURFACE MOUNT-STRAIGHT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
K4J52324QC 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-AC20000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC - Trays
K4J52324QC-BC14 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
K4J52324QC-BC14000 制造商:Samsung Semiconductor 功能描述:GDDR3 SDRAM X32 BOC LEAD PART 10W - Trays
K4J52324QC-BC16 制造商:SAMSUNG 制造商全稱:Samsung semiconductor 功能描述:512Mbit GDDR3 SDRAM
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*