- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄371435 > 28F160C18 (Intel Corp.) 1.8V Advanced+ Boot Block Flash Memory(1.8V高級引導(dǎo)塊閃速存儲器) PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | 28F160C18 |
| 廠商： | Intel Corp. |
| 英文描述： | 1.8V Advanced+ Boot Block Flash Memory(1.8V高級引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 中文描述： | 1.8高級啟動塊閃存（1.8V的高級引導(dǎo)塊閃速存儲器） |
| 文件頁數(shù)： | 32/52頁 |
| 文件大?。?/td> | 272K |
| 代理商： | 28F160C18 |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁當(dāng)前第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁
28F160C18
E
32
ADVANCE INFORMATION
4.6
AC Characteristics
—Write Operations
(1,5,6)
—Extended Temperature
Product
16 Mbit
Access Time (ns)
90
120
#
Symbol
t
PHWL
/
t
PHEL
t
ELWL
/
t
WLEL
t
WLWH
/
t
ELEH
t
DVWH
/
t
DVEH
t
AVWH
/
t
AVEH
t
WHEH
/
t
EHWH
t
WHDX
/
t
EHDX
t
WHAX
/
t
EHAX
t
WHWL
/
t
EHEL
t
VPWH
/
t
VPEH
Parameter
Note
Min
Min
Unit
W1
RST# High Recovery to WE# (CE#) Going Low
150
150
ns
W2
CE# (WE#) Setup to WE# (CE#) Going Low
0
0
ns
W3
WE# (CE#) Pulse Width
4
70
70
ns
W4
Data Setup to WE# (CE#) Going High
2
70
70
ns
W5
Address Setup to WE# (CE#) Going High
2
70
70
ns
W6
CE# (WE#) Hold Time from WE# (CE#) High
0
0
ns
W7
Data Hold Time from WE# (CE#) High
2
0
0
ns
W8
Address Hold Time from WE# (CE#) High
2
0
0
ns
W9
WE# (CE#) Pulse Width High
4
30
30
Ns
W10
V
PP
Setup to WE# (CE#) Going High
3
200
200
ns
W11
t
QVVL
V
PP
Hold from Valid SRD
3
0
0
ns
W12
t
BHWH
/
t
BHEH
WP# Setup to WE# (CE#) Going High
3
0
0
ns
W13
t
QVBL
WP#
Hold from Valid SRD
3
0
0
ns
W14
t
WHGL
Write Recovery before Read
3,7
30
ns
NOTES:
1.
2.
3.
4.
Write timing characteristics during erase suspend are the same as during write-only operations.
Refer to Table 5 for valid A
IN
or D
IN
.
Sampled, but not 100% tested.
Write pulse width (t
) is defined from CE# or WE# going low (whichever goes low last)
to CE# or WE# going high
(whichever goes high first). Hence, t
= t
= t
= t
= t
. Similarly, Write pulse width high (t
) is defined
from CE# or WE# going high (whichever goes high first)
to CE# or WE# going low (whichever goes low first). Hence,
t
WPH
= t
WHWL
= t
EHEL
= t
WHEL
= t
EHWL
.
See Figure 5: Input/Output Reference Waveformfor timing measurements and maximum allowable input slew rate.
See Figure 8: AC Waveform: Program and Erase Operations
Delay is defined from WE#(CE#) high to OE# going low.
5.
6.
7.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| 28F160C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F800C2 | 2.4V Advanced+ Boot Block Flash Memory(2.4V高級引導(dǎo)塊閃速存儲器) |
| 28F160S3 | 3 V FlashFile Memory(3 V FlashFile 存儲器) |
| 28F320S3 | 3 V、32MB FlashFile Memory(3 V、32M位FlashFile 存儲器) |
| 28F160S5 | 5 V FlashFile Memory(5 V FlashFile 存儲器) |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| 28F160C3 | 制造商:INTEL 制造商全稱:Intel Corporation 功能描述:3 Volt Intel Advanced+ Boot Block Flash Memory |
| 28F160C3BA90 | 制造商: 功能描述: 制造商:Intel 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F160C3TD70 | 制造商: 功能描述: 制造商:undefined 功能描述: |
| 28F160F3 | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:FAST BOOT BLOCK FLASH MEMORY FAMILY 8 AND 16 MBIT |
| 28F160F3B95 | 制造商:Intel 功能描述: |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。